電力場效應晶體管rPowCr Mos∏cld-Effcct Transistor,P-MOSFETl,是對功率小的一般MOsFET的工藝結(jié)構(gòu)進行改進,在功率上有所突破,獲得的單極性半導體器件,屬于電壓控制型,具有驅(qū)動功率小、控制線路簡單、MIC10938P-50工作頻率高的特點。

   電力MOSFET的結(jié)構(gòu)與工作原理

   電力MOsFET的結(jié)構(gòu)

   由電子技術(shù)基礎(chǔ)可知,功率較小的普通場效應管(MOsFED的柵極G、源極s和漏極D位于芯片的同一側(cè),導電溝道平行于芯片表面,是橫向?qū)щ娖骷?這種結(jié)構(gòu)限制了它的電流容量。電力MOsFET采取了兩次擴散工藝,并將漏極D移到芯片另一側(cè)的表面上,使從漏極到源極的電流垂直于芯片表面流過,這樣有利于減小芯片面積和提高電流密度。這種采用垂直導電方式的MOSFET稱為VMOSFET。

   電力MOsFET的導電溝道也分為N溝道和P溝道兩種,柵偏壓為零時“漏極一源之間存在導電溝道的稱為耗盡型;柵偏壓大于零㈧溝道)才存在導電溝道的稱為增強下面以N溝道增強型為例,說明電力MOsFET的結(jié)構(gòu)。圖2.12表示的是其結(jié)構(gòu)和符電力MOsFET是多元集成結(jié)構(gòu),即一個器件由多個MOSFET元(件)組成。