動態(tài)特性
發(fā)布時間:2018/1/2 21:18:30 訪問次數(shù):471
IGBT的動態(tài)特性包括導(dǎo)通過程和關(guān)斷過程,如圖2.19所示。
圖219 1GBT的導(dǎo)通與關(guān)斷過程 MIC2558BM
導(dǎo)通過程。
IGBT的導(dǎo)通過程與電力MOSFET的開通過程相類似,這是因為IGBT在導(dǎo)通過程中大部分時間是作為電力MOsFET運行的。導(dǎo)通時間由四部分組成:一段是從外施柵極脈沖¤‰由負到正跳變開始,到“柵一射”電壓充電到I/T的時間(對應(yīng)rl~氣)的導(dǎo)通延遲時間兔。另一段是集電極電流從零開始,上升到90%穩(wěn)態(tài)值的時間。
IGBT的動態(tài)特性包括導(dǎo)通過程和關(guān)斷過程,如圖2.19所示。
圖219 1GBT的導(dǎo)通與關(guān)斷過程 MIC2558BM
導(dǎo)通過程。
IGBT的導(dǎo)通過程與電力MOSFET的開通過程相類似,這是因為IGBT在導(dǎo)通過程中大部分時間是作為電力MOsFET運行的。導(dǎo)通時間由四部分組成:一段是從外施柵極脈沖¤‰由負到正跳變開始,到“柵一射”電壓充電到I/T的時間(對應(yīng)rl~氣)的導(dǎo)通延遲時間兔。另一段是集電極電流從零開始,上升到90%穩(wěn)態(tài)值的時間。
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