(1) “集一射”極額定電壓I/c Es。它是“柵一射”極短路時(shí)的IGBT最大耐壓值,是MIC2561-1BM根據(jù)器件的雪崩擊穿電壓規(guī)定的。

   (2) “柵一射”極額定電壓%Es。IGBT是電壓控制器件,靠加到柵極的電壓信號(hào)來控制IGBT的導(dǎo)通和關(guān)斷,而I/GEs是柵極的電壓控制信號(hào)額定值。通常,IGBT對(duì)柵極的電壓控制信號(hào)相當(dāng)敏感,只有柵極在額定電壓值很小的范圍內(nèi),才能使IGBT導(dǎo)通,而不致?lián)p壞。

（3） “柵一射”極開啟電壓%豇曲)。它是指使IGBT導(dǎo)通所需的最小“柵一射”極電壓。通常,IGBT的開啟電壓%敢伍)在3~5.5Ⅴ之間。

（4）集電極額定電流Jc。它是指在額定的測(cè)試溫度(殼溫為25℃)條件下,IGBT所允許的集電極最大直流電流。

（5） “集一射”極飽和電壓I/c,Eo。IGBT在飽和導(dǎo)通時(shí),通過額定電流的“集一射”極電壓,代表了IGBT的通態(tài)損耗大小。通常,IGBT的“集一射”極飽和電壓%Ec,在1,5-3V之間。