單晶硅具有準金屬的物理性質,有較弱的導電性,其電導率隨溫度的升高而增加,有顯著的半導電性。 HZICLM111778910G超純的單晶硅是本征半導體,基本上不導電。在硅晶體中摻人微量的ⅤA族雜質原子(如磷、砷、銻等),可形成N型半導體,電子(帶負電)是其導電的主要載流子。這是囚為這些雜質原子和硅原子形成共價鍵結構時,其外圍五個電子中的四個會留下一個電子不受共價鍵束縛而成為自由電子,于是N型半導體就成為了含電子濃度較高的半導體,其導電性主要是因為自由電子導電。

   在硅晶體中摻入微量的ⅢA族雜質原子(如硼、銦等),將形成P型半導體,空穴(帶正電)是其導電的主要載流子。這些雜質原子和硅原子形成共價鍵結構時,其外圍只有三個電子,比硅原子少了一個電子而留下了一個空缺,即空穴。當空穴被其他鄰近的電子補上時,那補位的電子原先的位置便又留下了一個新的空穴,這個空穴的轉移可視為正電荷的運動,成為能夠導電的載流子。

   N型半導體和P型半導體是所有半導體器件的基礎。摻雜的雜質濃度越高,半導體導電性越好,電阻率越低。