這種類型的MC)SFET通常制作于P型半導(dǎo)體襯底上,由兩個高傳導(dǎo)率的N型半導(dǎo)體源極和漏極,通過反向偏置的PN結(jié)二極管將其與P型半導(dǎo)體襯底隔離, HZICLM386X18XX0G柵極氧化物將柵極與半導(dǎo)體襯底分離,金屬或多晶硅柵覆蓋源極和漏極之間的區(qū)域構(gòu)成,其基本結(jié)構(gòu)示于。施加到柵極的電壓控制電子從源極到漏極的流動。施加到柵極的正電壓吸引電子到柵電介質(zhì)和半導(dǎo)體之間的界面處,繼續(xù)增加?xùn)烹妷?界面處的少子電子濃度將超過半導(dǎo)體襯底的多子空穴濃度,形成稱之為反轉(zhuǎn)層的導(dǎo)電溝道。由于柵極氧化物阻擋了任何載流子的流動,因此,無需柵極電流就可以維持界面處的反型層。結(jié)果是所施加的柵極電壓控制源極至漏極之間的電流流動。施加一個負(fù)電壓于柵極上將造成襯底內(nèi)空穴濃度的加;由于空穴本身就是P型襯底的主要載流子,原先的特性不會有太大的變化。若MOS晶體管在強(qiáng)反型下主要的載流子是電子,則稱之為N溝道MOS晶體管,簡稱NM(E;若為空穴,則稱之為PMOS。M()s電容的大小與氧化層的介電常數(shù)和面積成正比,與氧化層厚度成比。使用越高介電常數(shù)的材料,越大的電容面積和越薄的介電層厚度,將得到越大的M()s

電容。