1949年肖克萊(W,B。Shocklcy)提出少子(少數(shù)載流子)在半導(dǎo)體中的注入和遷移的PN結(jié)理論以及基于PN結(jié)的雙極型晶體管器件結(jié)構(gòu):91。1960年,貝爾實(shí)驗(yàn)室的D.Kal)ng和M,Atalla發(fā)明并首次制作成功金屬一氧化物一半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。

   M()SFE'Γ的發(fā)明也是基于PN結(jié)理論。HZICMP809S723X0G

   在發(fā)展替代傳統(tǒng)平面結(jié)構(gòu)的晶體管器件結(jié)構(gòu)方面,一種特殊器件結(jié)構(gòu)即所謂的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管FinFET吸引了人們的廣泛關(guān)注。這個(gè)詞最初被加利福尼亞大學(xué)伯克利分校的胡正明教授用來(lái)描述一個(gè)基于絕緣層卜硅(Silicon On hsulator∶SOI)襯底的非平面雙柵晶體管器件"∶。由于晶體管的溝道很像魚(yú)的鰭,由此稱之為鰭型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它的發(fā)展基礎(chǔ)是Hitachi公司的年輕工程師Hisamoto于1989年提出的基于體硅襯底,采用局域化絕緣體隔離襯底技術(shù)(local SOI)制成的首個(gè)Ι維器件Delta FET「丬。在傳統(tǒng)晶體管結(jié)構(gòu)中,柵極只能從溝道的一側(cè)控制器件的導(dǎo)通與關(guān)閉,屬于平面結(jié)構(gòu)。FinFET器件采用三維立

體結(jié)構(gòu),由其中一個(gè)設(shè)置于源漏之間的薄鰭狀溝道和類(lèi)似魚(yú)鰭的叉狀柵極組成。柵電極能夠從鰭形硅的兩側(cè)及頂部控制溝道,且與鰭形硅溝道垂直,兩個(gè)側(cè)邊電極能夠互相自對(duì)準(zhǔn),有效地縮小了有源區(qū)在平面L的占有面積,并且很大程度上增加了溝道的有效寬度,使得柵極對(duì)溝道電勢(shì)控制更加完美,具有非常高的靜電完整性,從而增加了器件的電流驅(qū)動(dòng)能力和器件抑制短溝道效應(yīng)的能力,并增加了器件的跨導(dǎo),減小了漏極感應(yīng)勢(shì)壘降低(DrainInduced Barrier Lowering,DIBI')效應(yīng)和閾值電壓隨溝道長(zhǎng)度的變化量等。FlnFET因其優(yōu)異的性能以及與傳統(tǒng)CMOS△藝的兼容性,被認(rèn)為是很有前途的新穎器件,可以使摩爾定律得以延續(xù)。