介質(zhì)材料內(nèi)部的微孑L或微隙縫的產(chǎn)生，是由于制造工藝不良造成的。例如；由于燒結(jié)工藝不良， HZICSPW71042350G 特導(dǎo)致凝聚相與介質(zhì)主晶相膨脹系數(shù)不同，在冷卻過程中就造成微裂縫或小空洞�；蛘哂捎诖闪瞎逃袩Y(jié)溫度與銀的燒結(jié)溫度不能完善地配合，使瓷介質(zhì)不致密。

   銀離子還通過介質(zhì)表面進(jìn)行遷移，其現(xiàn)象首先是損耗角正切值增加，然后由于電容器表面上的漏電流引起絕緣電阻下降，最終因銀離子遷移而導(dǎo)致短路。銀離子遷移與產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)有關(guān)，例如，在潮熱負(fù)荷下，微調(diào)瓷介電容器試驗幾小時后就能明顯地觀察到銀離子遷移現(xiàn)象。銀離子遷移的結(jié)果，使得正極銀面嚴(yán)重破壞，銀層被分割成許多小銀塊。這樣，中間隔著具有半導(dǎo)體性質(zhì)的氧化銀，使得陶瓷電容器的等效串聯(lián)電阻增加，介質(zhì)損耗角正切值大大增加，甚至氧化銀會把兩電極連接起來。銀離子的嚴(yán)重遷移，還使得電極的有效面積逐漸減小，從而使電容量逐漸減小。

   在高濕度環(huán)境條件下，云母電容器也會產(chǎn)生銀離子遷移現(xiàn)象。因為壓塑型云母電容器屬于半密封型的結(jié)構(gòu)，水分能夠通過塑料外殼或外殼與引線間因熱脹冷縮系數(shù)不同產(chǎn)生的縫隙進(jìn)入電容器內(nèi)部，在電場和水的共同作用下，促使云母電容器電極的銀產(chǎn)生遷移，從而在與陰極相連的邊界上形成銀，產(chǎn)生樹枝狀銀的晶體，并逐漸向陽極擴(kuò)展。而與陽極相連的邊界上，形成黑色的氧化銀。如果云母片存在裂紋或缺陷，則銀離子遷移會將這些裂紋或縫隙填滿，導(dǎo)致介質(zhì)通路而使電容器擊穿。銀離子的遷移使得其電性能嚴(yán)重惡化，如電容量顯著下降、介質(zhì)損耗角正切值顯著增加和絕緣電阻下降。銀離子遷移還可能導(dǎo)致陽極銅箔引出線嚴(yán)重腐蝕，甚至開路。云母電容器的銀離子遷移延長而加劇。

   此外，銀離子遷移還會使陶瓷電容器電介質(zhì)老化，擊穿電場強(qiáng)度下降，導(dǎo)致?lián)舸┦?/span>放。而且銀電極的低頻獨石電容器比瓷介電容器銀離子遷移嚴(yán)重得多。