對網(wǎng)口變壓器初級邊下的所有平面層進(jìn)行挖空處理
發(fā)布時間:2019/1/2 21:28:58 訪問次數(shù):3900
除了PGND層外, K7N163631B-FC25對網(wǎng)口變壓器初級邊下的所有平面層進(jìn)行挖空處理,如圖3.38中右邊J1方框區(qū)域所示(圖3,38是一個具有良好以太網(wǎng)接口電路EMC設(shè)計的PCB圖)。建議此區(qū)域內(nèi)PGND層的焊盤及過孔設(shè)置應(yīng)滿足:反焊盤(Anti Relief)、熱焊 盤(Themd R乩ef)直徑比正常焊盤(R喟ular Pad)大70mⅡ以上c.
●最優(yōu)先處理的關(guān)鍵信號線是TⅩ+和TⅩ―(RⅩ+和RⅩ-),如圖3.38中高亮的標(biāo)有TPI、TP0字樣的網(wǎng)絡(luò);η←和TX-(RX+和RX-)應(yīng)以差分形式布線,平衡對稱是最重要的,以提高接收端性能,防止發(fā)送端輻射發(fā)射;差分線間距不超過10Cl mⅡ(圖3。~3b所示的L3);緊鄰地平面布線,推薦直接在頂層不打過孔直連,頂層下第二層為地平 面;附近不能有其他高速信號線,特別是數(shù)字信號;布線寬度推薦為⒛mⅡ,提高抗干擾能力(空間足夠時,考慮在旁邊布保護(hù)地線,保護(hù)地線必須每隔一段距離要有接地過孔)。
接口芯片推薦的數(shù)字電源和模擬電源必須分開,如圖3.38所示。每一個模擬電源引腳處布置一個高頻電容;模擬電源在電源層分割,見圖3.38中左邊矩形框區(qū)域;分割寬度為50mil;數(shù)字電源不能擴(kuò)展到TⅩ+和TX-(RX+和RⅩ-)信號附近。
・電流偏置電阻(圖3.38中R19)附近不能有其他高速信號穿過。
・變壓器與RJ-笱之間的接收、發(fā)送信號線的處理方式與次級的印制線TⅩ+和TⅩ-(RⅩ+和RⅩ)處理方式一致。
●Bob s而tll電路布線加粗,電阻和電容節(jié)點網(wǎng)絡(luò)(圖3.38中白色高亮網(wǎng)絡(luò))的處理方式是在布線層敷銅,見圖3.38中所示的白色高亮銅皮。
・TⅩ+和TⅩ-印制線最好沒有過孔,RX+和RⅩ-印制線布在與元件的同一層。
除了PGND層外, K7N163631B-FC25對網(wǎng)口變壓器初級邊下的所有平面層進(jìn)行挖空處理,如圖3.38中右邊J1方框區(qū)域所示(圖3,38是一個具有良好以太網(wǎng)接口電路EMC設(shè)計的PCB圖)。建議此區(qū)域內(nèi)PGND層的焊盤及過孔設(shè)置應(yīng)滿足:反焊盤(Anti Relief)、熱焊 盤(Themd R乩ef)直徑比正常焊盤(R喟ular Pad)大70mⅡ以上c.
●最優(yōu)先處理的關(guān)鍵信號線是TⅩ+和TⅩ―(RⅩ+和RⅩ-),如圖3.38中高亮的標(biāo)有TPI、TP0字樣的網(wǎng)絡(luò);η←和TX-(RX+和RX-)應(yīng)以差分形式布線,平衡對稱是最重要的,以提高接收端性能,防止發(fā)送端輻射發(fā)射;差分線間距不超過10Cl mⅡ(圖3。~3b所示的L3);緊鄰地平面布線,推薦直接在頂層不打過孔直連,頂層下第二層為地平 面;附近不能有其他高速信號線,特別是數(shù)字信號;布線寬度推薦為⒛mⅡ,提高抗干擾能力(空間足夠時,考慮在旁邊布保護(hù)地線,保護(hù)地線必須每隔一段距離要有接地過孔)。
接口芯片推薦的數(shù)字電源和模擬電源必須分開,如圖3.38所示。每一個模擬電源引腳處布置一個高頻電容;模擬電源在電源層分割,見圖3.38中左邊矩形框區(qū)域;分割寬度為50mil;數(shù)字電源不能擴(kuò)展到TⅩ+和TX-(RX+和RⅩ-)信號附近。
・電流偏置電阻(圖3.38中R19)附近不能有其他高速信號穿過。
・變壓器與RJ-笱之間的接收、發(fā)送信號線的處理方式與次級的印制線TⅩ+和TⅩ-(RⅩ+和RⅩ)處理方式一致。
●Bob s而tll電路布線加粗,電阻和電容節(jié)點網(wǎng)絡(luò)(圖3.38中白色高亮網(wǎng)絡(luò))的處理方式是在布線層敷銅,見圖3.38中所示的白色高亮銅皮。
・TⅩ+和TⅩ-印制線最好沒有過孔,RX+和RⅩ-印制線布在與元件的同一層。
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