并聯(lián)1000pF電容作用原理
發(fā)布時(shí)間:2019/1/3 21:12:19 訪問次數(shù):8330
查閱電容的頻率-阻抗特性,得知約1000pF的貼片電容,在保證最短的引線電感時(shí)(引線電感較長,會使該電容失效),由于1000pF的電容的自諧振頻率約150MHz,NG80386SX20因此可以很好地對高頻噪聲進(jìn)行抑制,如圖3.55所示,相當(dāng)于引起輻射驅(qū)動(dòng)電壓源的電流被1000pF旁路,最終使噪聲源的電壓幅度降低,所示輻射騷擾自然也降低。
圖3.35并聯(lián)1000pF電容作用原理
按照原理分析,嘗試用1000pF并聯(lián)在USB接口芯片的電源引腳上,即與0.1uF去耦電容并聯(lián)。再進(jìn)行測試,測試結(jié)果如圖3.56和圖3.57所示,測試通過,證實(shí)了上述分析的正確性。
查閱電容的頻率-阻抗特性,得知約1000pF的貼片電容,在保證最短的引線電感時(shí)(引線電感較長,會使該電容失效),由于1000pF的電容的自諧振頻率約150MHz,NG80386SX20因此可以很好地對高頻噪聲進(jìn)行抑制,如圖3.55所示,相當(dāng)于引起輻射驅(qū)動(dòng)電壓源的電流被1000pF旁路,最終使噪聲源的電壓幅度降低,所示輻射騷擾自然也降低。
圖3.35并聯(lián)1000pF電容作用原理
按照原理分析,嘗試用1000pF并聯(lián)在USB接口芯片的電源引腳上,即與0.1uF去耦電容并聯(lián)。再進(jìn)行測試,測試結(jié)果如圖3.56和圖3.57所示,測試通過,證實(shí)了上述分析的正確性。
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