增加某型兮TⅤS后,PMIC依然損壞
發(fā)布時(shí)間:2019/1/8 20:56:47 訪問次數(shù):525
測試結(jié)束后,驗(yàn)證手機(jī)的功能,分析得知,雖然此TⅤS可以滿足140
最終使PMIC損壞(見圖4.102)。增加某型兮TⅤS后,PMIC依然損壞 G5520AR41U
發(fā)現(xiàn)手機(jī)不能開機(jī),原囚是PMIC已損壞,無輸出。經(jīng)A的通流量,但是其殘壓太高,導(dǎo)致PMIC無法承受, 隨后選用另一個(gè)TⅤS管,此TⅤS是DFN1610封裝,其規(guī)格書顯示殘壓較低(在100A時(shí)典型值9,6Ⅴ)。上板正向浪涌測試完后l。T以正常開機(jī),負(fù)向測試后發(fā)現(xiàn)不能開機(jī),經(jīng)檢測,同樣是因?yàn)镻M￡損壞無輸出電壓。分析發(fā)現(xiàn),因?yàn)榇薚ⅤS是雙向的TⅤS,其負(fù)向殘壓比較高,而目前PM￡芯片對(duì)負(fù)壓尤為敏感,所以PM1C在面對(duì)負(fù)向浪涌時(shí),需要更低的殘壓才能提供有效防護(hù)。其±1繃A時(shí)殘壓分別如圖4.103、圖4,104所示。
測試結(jié)束后,驗(yàn)證手機(jī)的功能,分析得知,雖然此TⅤS可以滿足140
最終使PMIC損壞(見圖4.102)。增加某型兮TⅤS后,PMIC依然損壞 G5520AR41U
發(fā)現(xiàn)手機(jī)不能開機(jī),原囚是PMIC已損壞,無輸出。經(jīng)A的通流量,但是其殘壓太高,導(dǎo)致PMIC無法承受, 隨后選用另一個(gè)TⅤS管,此TⅤS是DFN1610封裝,其規(guī)格書顯示殘壓較低(在100A時(shí)典型值9,6Ⅴ)。上板正向浪涌測試完后l。T以正常開機(jī),負(fù)向測試后發(fā)現(xiàn)不能開機(jī),經(jīng)檢測,同樣是因?yàn)镻M￡損壞無輸出電壓。分析發(fā)現(xiàn),因?yàn)榇薚ⅤS是雙向的TⅤS,其負(fù)向殘壓比較高,而目前PM￡芯片對(duì)負(fù)壓尤為敏感,所以PM1C在面對(duì)負(fù)向浪涌時(shí),需要更低的殘壓才能提供有效防護(hù)。其±1繃A時(shí)殘壓分別如圖4.103、圖4,104所示。
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