在模擬電流地與數(shù)字地之間接旁路電容
發(fā)布時間:2019/1/11 21:20:06 訪問次數(shù):2145
【處理措施】K4H510638E-TCBO
按照以上的分析及測試結(jié)果,在模擬電流地與數(shù)字地之間接旁路電容,值為111F。測試結(jié)果參。
提醒一點(diǎn):數(shù)字電路地與模擬電路地之間接111F旁路電容后的確使流入數(shù)字電路的共模電流增加,這同時也是對數(shù)字電路的一種考驗,本案例中之所以對整體抗擾度有所提高也是因為光耦的敏感電平相對較低:在設(shè)計時,要統(tǒng)籌考慮.EMC設(shè)計不僅是一些規(guī)則的宣貫,也要對電路特性有較深的了解:
【思考與啟示】
(1)相互光電隔離的數(shù)字地與模擬地之間建議采用電容連接,容值為1~10nF。
(2)被隔離的地之間也要考慮地電位平衡。
(3)開關(guān)電源中變壓器初級線圈與次級線圈間,跨接電容,也是基于本案例同樣的原理:
【處理措施】K4H510638E-TCBO
按照以上的分析及測試結(jié)果,在模擬電流地與數(shù)字地之間接旁路電容,值為111F。測試結(jié)果參。
提醒一點(diǎn):數(shù)字電路地與模擬電路地之間接111F旁路電容后的確使流入數(shù)字電路的共模電流增加,這同時也是對數(shù)字電路的一種考驗,本案例中之所以對整體抗擾度有所提高也是因為光耦的敏感電平相對較低:在設(shè)計時,要統(tǒng)籌考慮.EMC設(shè)計不僅是一些規(guī)則的宣貫,也要對電路特性有較深的了解:
【思考與啟示】
(1)相互光電隔離的數(shù)字地與模擬地之間建議采用電容連接,容值為1~10nF。
(2)被隔離的地之間也要考慮地電位平衡。
(3)開關(guān)電源中變壓器初級線圈與次級線圈間,跨接電容,也是基于本案例同樣的原理:
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