器件關(guān)閉時(shí)要求多晶硅薄膜溝道(管狀)處于全耗盡狀態(tài);因此,多晶硅薄膜厚度(TCH)要盡量薄。 JM38510/01203BCA此外,進(jìn)一步增加存儲(chǔ)單元密度的強(qiáng)勁需求,也在不斷推動(dòng)縮小多晶硅薄膜溝道TCH。與工作在反型模式(IM)的器件相比,該產(chǎn)品表現(xiàn)出更優(yōu)異的性能,可提供更快速的寫人/擦除(P/E)速度,更大的內(nèi)存窗口(>12V)和更好的耐力()101次);在150℃測(cè)試條件下,還具有優(yōu)良的10年數(shù)據(jù)保留能力。更為出色的是該器件開關(guān)電流比大于10:,同時(shí)具備非常陡峭的亞閾值擺幅(SS)目前,各個(gè)存儲(chǔ)器公司也相繼發(fā)布了各自的閃存量產(chǎn)計(jì)劃。相比于三維浮柵閃存,=維電荷俘獲閃存具有更好的器件可靠性,垂直溝道型三維電荷俘獲存儲(chǔ)器目前已成為國(guó)際上最主流的三維存儲(chǔ)器,為了搶占市場(chǎng)有利地位,各大公司的競(jìng)爭(zhēng)日趨白熱化。為垂直溝道型三維電荷俘獲存儲(chǔ)器單元與能帶結(jié)構(gòu)示意圖。

   垂直溝道型三維電荷俘獲存儲(chǔ)器單元與能帶結(jié)構(gòu)示意圖垂直溝道型三維電荷俘獲閃存的關(guān)鍵技術(shù)是超深孔刻蝕和高質(zhì)量薄膜工藝。32層的超深孔深寬比接近30:1,上下孔的直徑差異要求小于10~20nm。柵介質(zhì)多層薄膜不僅要求頂層和底層的厚度基本一致,對(duì)組份均勻性也提出了很高的要求。溝道材料一般為多晶硅薄膜,要求具有很好的結(jié)晶度和較大的晶粒,同時(shí)還需要與柵介質(zhì)之間有低缺陷密度的界面。作為一種電荷俘獲存儲(chǔ)器,存儲(chǔ)單元之間幾乎沒有耦合效應(yīng)。編程和擦除操作分別使用了電子和空穴的FN隧穿。為了提高擦除速度,隧穿層通常會(huì)使用基于氧化硅和氮氧化硅材料的疊層結(jié)構(gòu)。存儲(chǔ)層一般是以氮化硅為主的高陷阱密度材料。為了降低柵反向注入,阻擋層則會(huì)使用氧化硅或氧化鋁等材料。垂直溝道型三維電荷俘獲閃存可靠性方面的最大挑戰(zhàn)是電子和空穴在存儲(chǔ)層中的橫向擴(kuò)散,隨著三星電子公司推出產(chǎn)品,在存儲(chǔ)材料方面的技術(shù)瓶頸已經(jīng)獲得了突破。