在高頻電磁場下,采用薄層金屬作為外殼或內(nèi)襯材料可達到良好的屏蔽效果
發(fā)布時間:2019/2/6 20:22:33 訪問次數(shù):1553
在高頻電磁場下,采用薄層金屬作為外殼或內(nèi)襯材料可達到良好的屏蔽效果,但條件是屏蔽必須連續(xù),并將敏感部份完全遮蓋住,沒有缺口或縫隙(形成一個法拉第籠)。 L6385ED013TR然而在實際中要制造一個無接縫及缺口的屏蔽外殼是不可能的,由于屏蔽外殼要分成多個部份進行制作,因此就會有縫隙需要接合,另外通常還得在屏蔽外殼上打孔以便外部連接。
一旦知道了屏蔽外殼內(nèi)射頻輻射的頻率及強度,就可計算出屏蔽外殼的最大允 許縫隙和溝槽。例如,要對1GHz(波長為300mm)的輻射衰減冗dB,則150mm 的縫隙將會開始產(chǎn)生衰減。因此當(dāng)存在小于150mm的縫隙時,1GHz輻射就會被衰 減。所以對1GHz頻率來講,若需要衰減⒛dB,則縫隙應(yīng)小于15mm(150mm的 1/10),需要衰減笳dB時,縫隙應(yīng)小于7.5mm(15mm的1/2以上),需要衰減32dB時,縫隙應(yīng)小于3.Tsmm(7,5mm的1/2以上)?刹捎煤线m的導(dǎo)電襯墊使縫 隙大小限定在規(guī)定尺寸內(nèi),從而實現(xiàn)這種衰減效果。
設(shè)計屏蔽外殼的困難在于制造過程中不可避免會產(chǎn)生孔隙,而且設(shè)備運行過程中還會需要用到這些孔隙。制造、面板連接、通風(fēng)口、外部監(jiān)測窗口以及面板粘著組件等都需要在屏蔽外殼上打孔,從而大大降低了屏蔽性能。盡管溝槽和縫隙不可當(dāng)縫隙長度為波長(截止頻率)的一半時,射頻波開始以⒛dB/10倍頻程(縫隙為1/10波長)或6dB/8倍頻程(縫隙為1/2波長)的速率衰減。通常在射頻發(fā)射頻率一定的情況下,縫隙越窄衰減越嚴(yán)重,因為它允許通過的波長越短。當(dāng)涉及最高頻率的選擇時,必須要考慮可能會出現(xiàn)的數(shù)字方波信號的高次諧波。當(dāng)方波信號工作頻率在30MHz以下級別時,需考慮數(shù)十次的諧波分量;當(dāng)方波信號工作頻率在30MHz~1GHz范圍時,一般考慮到十?dāng)?shù)次諧波分量即可;當(dāng)方波信號工作頻率在1GHz以上時,實際上只需考慮五次諧波即可。
在高頻電磁場下,采用薄層金屬作為外殼或內(nèi)襯材料可達到良好的屏蔽效果,但條件是屏蔽必須連續(xù),并將敏感部份完全遮蓋住,沒有缺口或縫隙(形成一個法拉第籠)。 L6385ED013TR然而在實際中要制造一個無接縫及缺口的屏蔽外殼是不可能的,由于屏蔽外殼要分成多個部份進行制作,因此就會有縫隙需要接合,另外通常還得在屏蔽外殼上打孔以便外部連接。
一旦知道了屏蔽外殼內(nèi)射頻輻射的頻率及強度,就可計算出屏蔽外殼的最大允 許縫隙和溝槽。例如,要對1GHz(波長為300mm)的輻射衰減冗dB,則150mm 的縫隙將會開始產(chǎn)生衰減。因此當(dāng)存在小于150mm的縫隙時,1GHz輻射就會被衰 減。所以對1GHz頻率來講,若需要衰減⒛dB,則縫隙應(yīng)小于15mm(150mm的 1/10),需要衰減笳dB時,縫隙應(yīng)小于7.5mm(15mm的1/2以上),需要衰減32dB時,縫隙應(yīng)小于3.Tsmm(7,5mm的1/2以上)?刹捎煤线m的導(dǎo)電襯墊使縫 隙大小限定在規(guī)定尺寸內(nèi),從而實現(xiàn)這種衰減效果。
設(shè)計屏蔽外殼的困難在于制造過程中不可避免會產(chǎn)生孔隙,而且設(shè)備運行過程中還會需要用到這些孔隙。制造、面板連接、通風(fēng)口、外部監(jiān)測窗口以及面板粘著組件等都需要在屏蔽外殼上打孔,從而大大降低了屏蔽性能。盡管溝槽和縫隙不可當(dāng)縫隙長度為波長(截止頻率)的一半時,射頻波開始以⒛dB/10倍頻程(縫隙為1/10波長)或6dB/8倍頻程(縫隙為1/2波長)的速率衰減。通常在射頻發(fā)射頻率一定的情況下,縫隙越窄衰減越嚴(yán)重,因為它允許通過的波長越短。當(dāng)涉及最高頻率的選擇時,必須要考慮可能會出現(xiàn)的數(shù)字方波信號的高次諧波。當(dāng)方波信號工作頻率在30MHz以下級別時,需考慮數(shù)十次的諧波分量;當(dāng)方波信號工作頻率在30MHz~1GHz范圍時,一般考慮到十?dāng)?shù)次諧波分量即可;當(dāng)方波信號工作頻率在1GHz以上時,實際上只需考慮五次諧波即可。
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