增強(qiáng)型NMOS管的結(jié)構(gòu)與等效符號(hào)
發(fā)布時(shí)間:2019/2/15 20:30:12 訪問(wèn)次數(shù):3154
增強(qiáng)型NMOS管的結(jié)構(gòu)與等效符號(hào)如圖11-19所示。
增強(qiáng)型NMOS管是以P型硅片作為基片(又稱(chēng)襯底),在基片上制作兩個(gè)含很多雜質(zhì)的N型材料,MC56F8256VLF 再在上面制作一層很薄的二氧化硅(so2)絕緣層,在兩個(gè)N型材料上引出兩個(gè)鋁電極,分別稱(chēng)為漏極(D)和源極(S),在兩極中間的二氧化硅絕緣層上制作一層鋁制導(dǎo)電層,從該導(dǎo)電層上引出電極稱(chēng)為G極。P型襯底與D極連接的N型半導(dǎo)體會(huì)形成二極管結(jié)構(gòu)(稱(chēng)之為寄生二極管),由于P型襯底通常與S極連接在一起,所以增強(qiáng)型NMOs管又可用圖11△9(b)所示的符號(hào)表示。
增強(qiáng)型NMOS管的結(jié)構(gòu)與等效符號(hào)如圖11-19所示。
增強(qiáng)型NMOS管是以P型硅片作為基片(又稱(chēng)襯底),在基片上制作兩個(gè)含很多雜質(zhì)的N型材料,MC56F8256VLF 再在上面制作一層很薄的二氧化硅(so2)絕緣層,在兩個(gè)N型材料上引出兩個(gè)鋁電極,分別稱(chēng)為漏極(D)和源極(S),在兩極中間的二氧化硅絕緣層上制作一層鋁制導(dǎo)電層,從該導(dǎo)電層上引出電極稱(chēng)為G極。P型襯底與D極連接的N型半導(dǎo)體會(huì)形成二極管結(jié)構(gòu)(稱(chēng)之為寄生二極管),由于P型襯底通常與S極連接在一起,所以增強(qiáng)型NMOs管又可用圖11△9(b)所示的符號(hào)表示。
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