L-FW802C

   正負(fù)載流子既有可能以能帶模式輸運(yùn),如有機(jī)晶體中;也可能以躍進(jìn)模式輸運(yùn),如非晶態(tài)有機(jī)材料中;也可能是二者的混合。通常情況下,同一材料中正負(fù)載流子的遷移率也不盡相同。眾所周知,當(dāng)在中性分子中性孤立分子中能級(jí)分布,sO為基態(tài),s1、Tl分別為單線(xiàn)態(tài)和三線(xiàn)態(tài)能級(jí),JP型民)為解離能,D愆E/4c)為電子親和能;tb)理想晶體中正負(fù)載流子能級(jí)分布,Fh和Ee分別是空穴和電子能級(jí)位置,VB和CB分別是傳輸空穴的價(jià)帶和傳輸電子的導(dǎo)帶,尾和晃分別是平均電子極化能和平均空穴極化能.

   是能隙;(c)離子化晶體中正負(fù)極化子能級(jí)位置及其統(tǒng)計(jì)分布,APh和APe分別為空穴和電子相對(duì)于平均極化能的極化能偏差;ld)能隙中的陷阱能級(jí)位置,分別為處于能級(jí)E的電子或空穴的高斯型密度分布,Et為陷阱能級(jí),Ct(Fl是陷阱密度分布加入一個(gè)電子時(shí),有可能形成穩(wěn)定的負(fù)離子;而從中性分子中移出一個(gè)電子時(shí),有可能形成正離子。向中性分子中加人電子時(shí)所釋放的能量稱(chēng)為電子親和能(electron aⅢnity)E/,由中性分子中移出一個(gè)電子所需要的能量稱(chēng)為解離能(ionization potential)rP�！ê蚮P分別對(duì)應(yīng)于分子的最低空置能級(jí)GUMO)和最高占據(jù)能級(jí)(HOMO)亦即導(dǎo)帶⒆B)底端和價(jià)帶(VB)頂端,它們又分別對(duì)應(yīng)于電子輸運(yùn)軌道和空穴輸運(yùn)軌道。由于形成晶體時(shí)強(qiáng)烈的極化作用(電子極化能為凡,空穴極化能為Ph),與孤立分子相比,晶體Ez4能級(jí)顯著降低,而fP能級(jí)顯著提高,有