LM2901PWRG4

   金屬和半導(dǎo)體界面之間存在偶電層,導(dǎo)致了靜電場的形成,因而界面處出現(xiàn)電勢差,通常將之稱為接觸電勢,有時也稱為擴(kuò)散電勢(原因是空間電荷區(qū)的厚度通常比載流子的平均自由程大很多,所以載流子運(yùn)動主要是通過擴(kuò)散過程進(jìn)行)。這種接觸電勢也稱為schottky勢壘,它是由空間電荷偶電層形成的,其寬度和高度依賴于外加電壓。然而,如果勢壘高度等于或小于熱能圮r,或者勢壘寬度等于或小于載流子波長時,載流子可以通過量子隧道效應(yīng)而貫穿,則這種勢壘不會有效地起到一個勢壘的作用。

    非中性電接觸時,通過金屬/半導(dǎo)體界面向半導(dǎo)體注人載流子產(chǎn)生的電流-電壓可分兩種情況:當(dāng)接觸界面的電流-電壓曲線表現(xiàn)出對稱的線性特征時,該電接觸為歐姆接觸,否則就叫做scho⒒ky接觸。歐姆接觸時,金屬與半導(dǎo)體之間的接觸阻抗比半導(dǎo)體內(nèi)部的串聯(lián)阻抗小很多,因此可以忽略不計。這意味著在接觸處及其附近,自由載流子密度比半導(dǎo)體內(nèi)伸口體內(nèi)熱生載流子)要高很多。因此,接觸界面可以作為載流子存儲器。此時,限制電流的因素不是電接觸而是半導(dǎo)體本身。歐姆接觸并不表示半導(dǎo)體內(nèi)部的電流特性遵循歐姆定律,只有當(dāng)電壓非常低,單位體積內(nèi)注人的荷遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于材料內(nèi)部通過熱激發(fā)產(chǎn)生的本征電荷時,電流-電壓才里線性關(guān)系,電阻遵循歐姆定律。當(dāng)電壓增大到一定數(shù)值時,半導(dǎo)體由于被充電而帶有

過剩的電荷,于是出現(xiàn)空間電荷,使半導(dǎo)體內(nèi)部的電流一電壓呈現(xiàn)出非線性特點(diǎn)。當(dāng)電壓繼續(xù)增大、半導(dǎo)體中電荷濃度高到與接觸界面處電荷濃度接近時,界面處自由載流子的存儲現(xiàn)象消失,半導(dǎo)體的電流同時與空間電荷和界面處載流子的熱激發(fā)注人或者隧穿注人相關(guān)。