A2IL-15A

   與注人型瞬態(tài)暗電流方法類(lèi)似,瞬態(tài)電致發(fā)光也是利用脈沖波產(chǎn)生瞬態(tài)電壓伸日在小于⒛ns的時(shí)間內(nèi)產(chǎn)生3~ωV的電壓)。但本方法是收集瞬態(tài) 發(fā)光信號(hào),而不是電流信號(hào)。有機(jī)電致發(fā)光器件在瞬態(tài)電壓的驅(qū)動(dòng)下給出光發(fā)射,使用高響應(yīng)的硅基光電倍增管可以得到檢測(cè),并儲(chǔ)存于示波器。通過(guò)檢測(cè)到的瞬態(tài)電致發(fā)光時(shí)間(莎T),利用式。17sJ來(lái)計(jì)算載流子遷移率。通常情況下,有機(jī)材料中電子和空穴兩種載流子的遷移率有很大差別,電子遷移率小于空穴遷移率。利用瞬態(tài)電致發(fā)光,檢測(cè)快速載流子和慢載流子的器件結(jié)構(gòu)有所不同,如圖2.”所示。檢測(cè)材料體系中輸運(yùn)較快的載流子的遷移率,采用的是單層器件結(jié)構(gòu)(圖2.99);而檢測(cè)材料體系中輸運(yùn)較慢的載流子的遷移率需要構(gòu)筑雙層器件結(jié)構(gòu)(圖2.99))。在雙層器件結(jié)構(gòu)中,包含空穴傳輸層(HTL)和電子傳輸層rETL)。在外加電場(chǎng)的作用下,空穴和電子分別從陽(yáng)極和陰極注人。由于HTL中空穴的遷移率較大,當(dāng)空穴從陽(yáng)極注入后,會(huì)很快地通過(guò)HTL傳輸聚集在HTL/ETL的界面處。正負(fù)載流子的復(fù)合以及隨后的發(fā)光,只有在遷移率較慢的電子通過(guò)ETL的傳輸到達(dá)HTL/ETL界面時(shí)才能發(fā)生。因此,瞬態(tài)電致發(fā)光時(shí)間(JTJ代表了電子穿越ETL的時(shí)間,可用來(lái)計(jì)算ETL中電子的遷移率。在單層器件中,通常情況下有機(jī)材料中一種載流子的遷移率遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于另外一種載流子的遷移率。因此遷移率較小的載流子可視為靜止,電致發(fā)光的產(chǎn)生歸功于快速載流子從有機(jī)層的一端輸運(yùn)到另一端,與慢載流子復(fù)合的結(jié)果。于是瞬態(tài)發(fā)光的時(shí)間(JT)對(duì)應(yīng)于材料中快速載流子的遷移。