HCPL-2601

   無(wú)機(jī)納米半導(dǎo)體材料具有優(yōu)異光電特性,如遷移率高、光導(dǎo)性質(zhì)強(qiáng)、能隙可根據(jù)顆粒尺寸調(diào)節(jié)、材料吸收較強(qiáng)等,通常被應(yīng)用于有機(jī)/無(wú)機(jī)雜化太陽(yáng)能電池器件,作為電子受體無(wú)機(jī)納米顆粒在足夠小尺寸時(shí),表現(xiàn)出量子特性。但是,尺寸較小的無(wú)機(jī)納米材料,由于表面張力很高而不夠穩(wěn)定,傾向于通過(guò)“ostwald ripening”過(guò)程而變?yōu)檩^大的粒子。因此,無(wú)機(jī)納米粒子的表面通常以有機(jī)配體作為屏蔽。這些配體一方面防止氧化和聚集,另一方面可以改變粒子在有機(jī)溶劑中的溶解性。但是,它們阻礙電荷由納米粒子到納米粒子的輸運(yùn)。

    將納米顆粒Cdse與聚合物P3HT共混形成的本體異質(zhì)結(jié)電池,通過(guò)納米粒子尺寸的調(diào)節(jié),彌補(bǔ)了聚合物P3HT在650nm之后的長(zhǎng)波范圍內(nèi)對(duì)太陽(yáng)光吸收的不足,使AM1,5光照下的‰達(dá)到了1,7%,為5,7mA/cm。研究發(fā)現(xiàn)利用CdSe與共聚物制各的納米復(fù)合體系分散性好且存在光誘導(dǎo)電荷分離現(xiàn)象[14到,被認(rèn)為在有機(jī)/無(wú)機(jī)雜化太陽(yáng)能電池中有一定的潛力。⒛OT年Da…ish等報(bào)道的基于有機(jī)小分子TCVA(分子結(jié)構(gòu)見(jiàn)圖4,28)和硅半導(dǎo)體的雙層異質(zhì)結(jié)器件(AWTCVA/pˉSi/Al),在沒(méi)有任何修飾及摻雜的情況下,可得到很好的性能。他們認(rèn)為在光照下,TCVA產(chǎn)生激子,同時(shí)硅產(chǎn)生電子空穴對(duì)。光電流的產(chǎn)生是有機(jī)物中激子的解離以及硅中電子空穴對(duì)分離的共同結(jié)果,因此光照下可產(chǎn)生大量的光生載流子。另?yè)?jù)報(bào)道,溴摻雜的并五苯單晶與無(wú)機(jī)半導(dǎo)體ZnO組成的‰可高達(dá)4,5%。