HCPL-0501-500E

   載流子復(fù)合產(chǎn)生激子及其光輻射衰減過(guò)程

   OLED器件中,載流子復(fù)合形成激子的過(guò)程包括兩個(gè)步驟:電子/空穴由于能量上與材料LUMo/HoMO能級(jí)相當(dāng),而被俘獲,形成帶電極化子,該極化子傾向于俘獲相反電荷,形成激子。激子存在的形式有多種可能性,諸如受激分子、不同分子間的電子轉(zhuǎn)移復(fù)合物、相同分子間形成的基激二聚物等。有關(guān)激子在有機(jī)材料中,發(fā)生的包括光輻射在內(nèi)的多種衰減過(guò)程,可參考第二章的相關(guān)內(nèi)容。oLED器件中,激子所在區(qū)域與器件結(jié)構(gòu)關(guān)系密切,激子發(fā)生光輻射躍遷的發(fā)光,也有一定的特征。圖5.21為oLED器件通過(guò)注人正負(fù)載流子、復(fù)合、產(chǎn)生光輻射的示意圖。

   載流子復(fù)合區(qū)域與器件中空穴和電子的遷移率密切相關(guān),同時(shí)也受器件能級(jí)結(jié)構(gòu)的制約。不同結(jié)構(gòu)的器件,載流子復(fù)合區(qū)域有多種情形,如,①靠近陰極;②在電子傳輸層內(nèi);③在中間發(fā)光層內(nèi);④既在空穴傳輸層,又在電子傳輸層;⑤由于阻擋層對(duì)激子/空穴的阻擋作用,復(fù)合區(qū)域被限制在空穴傳輸層。關(guān)于不同器件結(jié)構(gòu)的載流子復(fù)合區(qū)域情況將在下面的器件結(jié)構(gòu)部分討論。