在智能傳感器的生產(chǎn)過程中,有幾種方法可以包括校準和調(diào)節(jié)步驟。大多數(shù)智能傳感器通過標準的集成電路生產(chǎn)流程生產(chǎn),通過另外增加前道或后道工藝制作傳感器元件。這意味著許多生產(chǎn)步驟是利用晶圓級批量工藝。在許多情況下,在晶圓切片后,只有單個傳感器的封裝是非批量生產(chǎn)制作工藝。

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   為了發(fā)揮批量生產(chǎn)的優(yōu)勢,校準和調(diào)整必須在晶圓級進行,換句話說,要在劃片和封裝之前進行。在某些情況下,同一片晶圓上的所有的傳感器可能會同時暴露于相同的嚴格定義的校準條件下。例如智能溫度傳感器的校準使用一個溫度穩(wěn)定的晶片卡盤。這種并行方法的優(yōu)點是創(chuàng)造校準條件的相關時間和費用成本被許多傳感器分攤了。另一方面,這種方法一個主要的缺點是由劃片和封裝產(chǎn)生的額外的誤差沒有考慮在內(nèi)。例如,許多智能溫度傳感器當它們被封裝進塑料管殼中時,會表現(xiàn)出一個被稱為封裝偏移的現(xiàn)象。當校準和調(diào)整在晶圓級進行時,封裝偏移會降低封裝后傳感器的精度。

   在許多情況下,校準和調(diào)整在生產(chǎn)線的最后進行,即在封裝后進行,因為封裝是傳感器正常工作所必需的。這種情況下晶圓級并行處理模式的成本效益消失,這種方法可以糾正包括封裝導致偏移在內(nèi)的個體誤差。適宜匹配的非易失性存儲器技術的范圍被限制于那些不需要直接進入芯片的情況。