偏置條件的確定

   總劑蚩輻照過(guò)程屮器件的偏置條件是影響器件總劑量輻照損傷關(guān)鍵因素之一。器件的偏置條件決定了氧化:中的電場(chǎng)的強(qiáng)度和方向,氧化層中的電場(chǎng)的強(qiáng)度和方向影響著輻射感生電子一空穴對(duì)的分離(或初始復(fù)合率)和運(yùn)動(dòng)方向及速度(迂移率),從而影響著氧化物陷阱電荷和界面態(tài)的產(chǎn)生,最終影響器件的電離總劑量輻照損傷的大小。

M24C16-WMN6TP

   總劑量試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)中對(duì)輻照過(guò)程器件的偏置條件的規(guī)定如下:“輻照過(guò)程巾器件加最劣偏置條件,或施加代表器件實(shí)際工作狀態(tài)的偏置條件�！睂�(duì)大規(guī)模集成電路來(lái)說(shuō),確定器件的總劑量輻照最劣偏置條件往往是非常困難的,而日.結(jié)構(gòu)不同的器件的最劣偏置也不同。因此,在進(jìn)行總劑量輻照時(shí),需要進(jìn)行大量的摸底試驗(yàn)或仿真分析試驗(yàn)以確定器件的最劣偏置條件。

   另外,選擇的負(fù)載應(yīng)使器件結(jié)溫上升少,以防止輻射退火效應(yīng)的發(fā)生。