保證入射粒子在芯片中具有足夠的射程
發(fā)布時(shí)間:2019/5/15 20:18:54 訪問次數(shù):2034
試驗(yàn)前的準(zhǔn)備工作
1)樣品的準(zhǔn)各
由于重離子加速器加速的離子的能量和射程的原因,進(jìn)行單粒子試驗(yàn)的樣品在試驗(yàn)前應(yīng)進(jìn)行開帽。 GAL16V8D-25LPN如果被測(cè)器件的芯片表面具有保護(hù)層,應(yīng)該去除這種保護(hù)層,以保證入射粒子在芯片中具有足夠的射程。為防止芯片在開帽過程中損壞,開帽后的樣品應(yīng)該進(jìn)行電參數(shù)測(cè)試,只有測(cè)試合格的樣品才能進(jìn)行單粒子試驗(yàn)。
2)電纜及試驗(yàn)測(cè)試板的準(zhǔn)各
單粒子試驗(yàn)通常在真空罐中進(jìn)行,試驗(yàn)時(shí),需要通過電纜和真空密封插頭將試驗(yàn)測(cè)試板與外部的測(cè)試系統(tǒng)連接。試驗(yàn)板和電纜需要滿足以下條件:
(l)試驗(yàn)板和電纜的尺寸、質(zhì)量滿足真空罐的要求;
(2)連接電纜滿足真空罐的硬件接口要求;
(3)試驗(yàn)板和電纜不含吸附氣體嚴(yán)重的材料;
(4)試驗(yàn)板的安裝孔位符合真空罐的要求;
(5)保證試驗(yàn)板上的除被測(cè)器件外的其他元器件不受輻照的影響;
(6)試驗(yàn)板和電纜具備良好的抗電磁千擾能力。
試驗(yàn)前的準(zhǔn)備工作
1)樣品的準(zhǔn)各
由于重離子加速器加速的離子的能量和射程的原因,進(jìn)行單粒子試驗(yàn)的樣品在試驗(yàn)前應(yīng)進(jìn)行開帽。 GAL16V8D-25LPN如果被測(cè)器件的芯片表面具有保護(hù)層,應(yīng)該去除這種保護(hù)層,以保證入射粒子在芯片中具有足夠的射程。為防止芯片在開帽過程中損壞,開帽后的樣品應(yīng)該進(jìn)行電參數(shù)測(cè)試,只有測(cè)試合格的樣品才能進(jìn)行單粒子試驗(yàn)。
2)電纜及試驗(yàn)測(cè)試板的準(zhǔn)各
單粒子試驗(yàn)通常在真空罐中進(jìn)行,試驗(yàn)時(shí),需要通過電纜和真空密封插頭將試驗(yàn)測(cè)試板與外部的測(cè)試系統(tǒng)連接。試驗(yàn)板和電纜需要滿足以下條件:
(l)試驗(yàn)板和電纜的尺寸、質(zhì)量滿足真空罐的要求;
(2)連接電纜滿足真空罐的硬件接口要求;
(3)試驗(yàn)板和電纜不含吸附氣體嚴(yán)重的材料;
(4)試驗(yàn)板的安裝孔位符合真空罐的要求;
(5)保證試驗(yàn)板上的除被測(cè)器件外的其他元器件不受輻照的影響;
(6)試驗(yàn)板和電纜具備良好的抗電磁千擾能力。
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