場效應(yīng)管的主要性能參數(shù)

   本文在此主要以VDMOS(垂直雙擴(kuò)散MOs)為例進(jìn)行介紹。VDMOs的結(jié)構(gòu)如圖5-20所示。ECE5011-NU

   VDMOs的電性能參數(shù)如下。

   (1)閾值電壓(開啟電壓)呢s⑾:柵電壓產(chǎn)生的電場控制著源漏間溝道區(qū)域流子的產(chǎn)生,使溝道區(qū)源端呈強(qiáng)反型時的柵源電壓稱為閾值電壓呢s。對于增強(qiáng)型場效應(yīng)管為開啟電壓,對于耗盡型和結(jié)型場效應(yīng)管為夾斷電壓。

   (2)漏一源擊穿電壓/l:幻Dss:漏一源擊穿電壓為場效應(yīng)管進(jìn)入恒流區(qū)后,使漏極電流驟然增大的漏一源極間電壓‰s電壓即為漏一源擊穿電壓。此參數(shù)為極限參數(shù),超過此電壓場效應(yīng)管會損毀。

   (3)柵極漏電流JGss:柵極漏電流測試是測試柵極在一定的電壓條件下的漏電流,其測試條件將設(shè)置‰F0,并將柵極電壓設(shè)置規(guī)定值進(jìn)行柵極漏電流測試,此參數(shù)測試包括正向漏電流和反向漏電流兩個參數(shù)。

   (4)漏極漏電流rDss:漏極漏電流測試是測試漏極在一定的電壓條件下的漏電流,其測試條件將設(shè)置呢疒0,并將漏極電壓設(shè)置規(guī)定值,進(jìn)行漏極漏電流測試。

   (5)導(dǎo)通電阻RDs⑾:導(dǎo)通電阻說明了漏極和源極電壓對漏極電流的影響,是轉(zhuǎn)移特性曲線的某點(diǎn)切線的斜率。對一般絕緣柵型場效應(yīng)管的導(dǎo)通電阻一般在幾百Ω以內(nèi)。

   (6)跨導(dǎo)瓿:跨導(dǎo)表示柵極和源極電壓對漏極電流的控制能力,即漏極電流變化量和柵一源電壓的變化量的比值。跨導(dǎo)是衡量場效應(yīng)管放大能力的重要參數(shù)。

   (7)開通延遲時間兔㈣、上升時間緯、關(guān)斷延遲時間兔(。η、下降時間氏:定義如圖591所示。

   圖5-21 開通延遲時間,上升時間,關(guān)斷延遲時間,下降時間

   (8)寄生二極管正向壓降/sD、反向恢復(fù)時間轱(普通場效應(yīng)管無此參數(shù)):這是表征漏一源二極管的特性參數(shù),它的正向壓降與普通二極管相同,反向恢復(fù)時間標(biāo)與普通整流管的相近。