解讀GJB128A一97

   GJB128A《半導體分立器件試驗方法》是半導體分立器件可靠性試驗的重要標準,其規(guī)定了半導體分立器件的通用試驗方法,包括實際應用條件下抗損害能力的基本環(huán)境試驗、機械性能試驗和電特性測試。方法中描述的都是電特性測試方法。 ECG005-G

   GJB128A主要參考的是MIL-sTD-750E,并結合具體情況對其進了行部分修正,對分立器件的可靠性試驗方法規(guī)定得比較詳細,對一些器件的測試方法未能全面介紹。例如,對晶體管的測試參數(shù)僅規(guī)定了集電極一發(fā)射極擊穿電壓,其余大量參數(shù)未加介紹。

   注意事項:

   (1)試驗條件:除非于詳細規(guī)范中另有明確規(guī)定,所有的測量和壽命試驗均應在25℃±3℃環(huán)境溫度,環(huán)境大氣壓及相對濕度下熱平衡的情況下進行。試驗的標準大氣條件為:

   溫度:15℃~35℃

   相對濕度:20%~80%

   氣壓:86~106kPa

   (2)電測試條件:除非于產(chǎn)品規(guī)范中另有明確規(guī)定,半導體器件不應承受超過器件最大額定值的工作條件。預防方法包括限制最大的瞬時電流和電壓。通常要求大串聯(lián)電阻值(恒流源)及小電容量。測試截止電流或反向電流小的器件時,要注意保證電路的寄生電流或外部漏電流小于被測器件的反向電流或截止電流。

   (3)脈沖測試:當在脈沖條件下測試靜態(tài)及動態(tài)參數(shù)時,為了避免在測量時由于器件發(fā)熱引起誤差,除非于詳細規(guī)范中另有明確規(guī)定,脈沖測試的時間不大于10ms,占空比最大為2%。在此范圍內,脈沖必須長至足以適應實驗設備的能力和所要求的準確度.

   (4)測試電路:標準中的電路僅僅是可用測試電路的示例,當然他們未必是唯一可用的電路,只要測試單位能證明其他電路所給出的結果不會超過要求的準確度,也可以使用其他電路。

   (5)測試方法的改變:為了測試電參數(shù),允許改變規(guī)定的測試方法,但應在測試之前得到確認,在改變時應做出測試方法的誤差分析。