半導(dǎo)體材料

   半導(dǎo)體材料按組成可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體。 K4B1G1646E-HCH9其中半導(dǎo)體材料應(yīng)用較為廣泛的包括元素半導(dǎo)體硅、鍺、Ⅲ-V族化合物半導(dǎo)體(砷化鎵、磷化銦、氮化鎵)以及Ⅱ-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體(碳化硅)。其中硅、砷化鎵、磷化銦、碳化硅是電子元器件應(yīng)用最多的半導(dǎo)體材料。

   碳化硅材料的測(cè)試

   碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料,具有禁帶寬度大、導(dǎo)熱率高、電子飽和速度高、擊穿電壓高、介電常數(shù)低等特點(diǎn),是制造高頻、大功率、高溫、抗輻照電子元器件及電路的重要基礎(chǔ)材料。半導(dǎo)體碳化硅材料測(cè)試的主要參數(shù)包括晶型、晶向、導(dǎo)電類型、電阻率、遷移率、

載流子濃度、直徑與晶片厚度及厚度變化等。

   砷化鎵材料的測(cè)試

   砷化鎵材料是目前Ⅲ-V族化合物半導(dǎo)體材料中較為成熟的材料,電子遷移率高,是微電子和光電子技術(shù)最為重要的功能材料,主要品種有電阻單晶、半絕緣單晶及各種同質(zhì)、異質(zhì)與多組分外延材料等。半導(dǎo)體砷化鎵材料測(cè)試的主要參數(shù)有電阻率及電阻率均勻性、霍爾遷移率及遷移率均勻性測(cè)試、熱穩(wěn)定性等。