門(mén)極伏安特性
發(fā)布時(shí)間:2019/7/14 19:05:41 訪問(wèn)次數(shù):578
門(mén)極伏安特性
晶間管的門(mén)極和陰極間有一個(gè)PN結(jié)J3的伏安特性稱(chēng)為門(mén)極伏安特性,如圖⒈7所示。LDS3985M30R由于實(shí)際產(chǎn)品的門(mén)極伏安特性的分散性很大,常以一條典型的極限高阻門(mén)極伏安特性CG和一條極限低阻門(mén)極伏安特性O(shè)D之間的區(qū)域來(lái)代表所有器件的伏安特性,稱(chēng)為門(mén)極伏安特性區(qū)域。其中,aABCc,為不可靠觸發(fā)區(qū),ADEF(rBA為可靠觸發(fā)區(qū),是由門(mén)極正向峰值電流rR捫、允許的瞬時(shí)最大功率P御和正向峰值電壓URjM劃定的區(qū)域。PG為門(mén)極允許的最在穩(wěn)定的額定結(jié)溫時(shí)所允許的最大平均電流。晶閘管流過(guò)正弦半波電流波形如圖的通態(tài)平均電流r飛Aη和正弦電流最大值爍之間的關(guān)系表示.
圖19 晶閘管流過(guò)正弦半波電流波形
流過(guò)晶間管的電流波形不同,其波形系數(shù)也不同。在實(shí)際應(yīng)用中,應(yīng)根據(jù)電流有效值相同的原則進(jìn)行換算。通常選用晶間管時(shí),電流選擇應(yīng)取(1.5~2)倍的安全裕量,這種選擇同樣適用于其他電力電子器件。
這是晶閘管所允許的半周期內(nèi)使結(jié)溫超過(guò)額定結(jié)溫的不重復(fù)正向過(guò)載電流。該值比晶問(wèn)管的額定電流要大得多,實(shí)際上它體現(xiàn)了晶閘管抗短路沖擊電流的能力,可用來(lái)設(shè)計(jì)保護(hù)電路。
通態(tài)電壓
晶間管通以規(guī)定數(shù)倍額定通態(tài)平均電流時(shí)的瞬態(tài)峰值電壓。從減少功耗和發(fā)熱的觀點(diǎn)出發(fā),應(yīng)該選擇通態(tài)電壓較小的晶閘管。
維持電流rH
rH是在室溫和門(mén)極斷路時(shí),晶閘管已經(jīng)處于通態(tài)后,從較大的通態(tài)電流降至維持通態(tài)所必需的最小陽(yáng)極電流。
門(mén)極伏安特性
晶間管的門(mén)極和陰極間有一個(gè)PN結(jié)J3的伏安特性稱(chēng)為門(mén)極伏安特性,如圖⒈7所示。LDS3985M30R由于實(shí)際產(chǎn)品的門(mén)極伏安特性的分散性很大,常以一條典型的極限高阻門(mén)極伏安特性CG和一條極限低阻門(mén)極伏安特性O(shè)D之間的區(qū)域來(lái)代表所有器件的伏安特性,稱(chēng)為門(mén)極伏安特性區(qū)域。其中,aABCc,為不可靠觸發(fā)區(qū),ADEF(rBA為可靠觸發(fā)區(qū),是由門(mén)極正向峰值電流rR捫、允許的瞬時(shí)最大功率P御和正向峰值電壓URjM劃定的區(qū)域。PG為門(mén)極允許的最在穩(wěn)定的額定結(jié)溫時(shí)所允許的最大平均電流。晶閘管流過(guò)正弦半波電流波形如圖的通態(tài)平均電流r飛Aη和正弦電流最大值爍之間的關(guān)系表示.
圖19 晶閘管流過(guò)正弦半波電流波形
流過(guò)晶間管的電流波形不同,其波形系數(shù)也不同。在實(shí)際應(yīng)用中,應(yīng)根據(jù)電流有效值相同的原則進(jìn)行換算。通常選用晶間管時(shí),電流選擇應(yīng)取(1.5~2)倍的安全裕量,這種選擇同樣適用于其他電力電子器件。
這是晶閘管所允許的半周期內(nèi)使結(jié)溫超過(guò)額定結(jié)溫的不重復(fù)正向過(guò)載電流。該值比晶問(wèn)管的額定電流要大得多,實(shí)際上它體現(xiàn)了晶閘管抗短路沖擊電流的能力,可用來(lái)設(shè)計(jì)保護(hù)電路。
通態(tài)電壓
晶間管通以規(guī)定數(shù)倍額定通態(tài)平均電流時(shí)的瞬態(tài)峰值電壓。從減少功耗和發(fā)熱的觀點(diǎn)出發(fā),應(yīng)該選擇通態(tài)電壓較小的晶閘管。
維持電流rH
rH是在室溫和門(mén)極斷路時(shí),晶閘管已經(jīng)處于通態(tài)后,從較大的通態(tài)電流降至維持通態(tài)所必需的最小陽(yáng)極電流。
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