電源解決方案工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)半磚封裝內(nèi)實(shí)現(xiàn)20W/in3的出色功率密度
發(fā)布時間:2021/7/22 13:23:52 訪問次數(shù):371
在服務(wù)器系統(tǒng)等領(lǐng)域,由于IoT設(shè)備的需求日益增長,功率轉(zhuǎn)換效率的提升和設(shè)備的小型化已經(jīng)成為重要的社會課題之一,而這就要求功率元器件的進(jìn)一步發(fā)展與進(jìn)步。
ROHM一直在大力推動業(yè)內(nèi)先進(jìn)的SiC元器件和各種具有優(yōu)勢的硅元器件的開發(fā)與量產(chǎn),以及在中等耐壓范圍具有出色的高頻工作性能的GaN器件的開發(fā)。
ROHM就現(xiàn)有GaN器件長期存在的課題開發(fā)出可以提高柵極-源極間額定電壓的技術(shù),能夠?yàn)楦鞣N應(yīng)用提供更廣泛的電源解決方案。
制造商: Texas Instruments
產(chǎn)品種類: 馬達(dá)/運(yùn)動/點(diǎn)火控制器和驅(qū)動器
RoHS: 詳細(xì)信息
產(chǎn)品: Fan / Motor Controllers / Drivers
類型: Half Bridge
工作電源電壓: 4.5 V to 33 V
輸出電流: 2.5 A
工作電源電流: 5 mA
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 125 C
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: VQFN-24
封裝: Cut Tape
封裝: Reel
輸出端數(shù)量: 4 Output
工作頻率: 360 kHz
系列: DRV8935
商標(biāo): Texas Instruments
負(fù)載電壓額定值: 4.5 V to 33 V
開發(fā)套件: DRV8935PEVM
濕度敏感性: Yes
產(chǎn)品類型: Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers
工廠包裝數(shù)量: 3000
子類別: PMIC - Power Management ICs
高達(dá)90%的效率水平可最大限度地減少不必要的熱量產(chǎn)生,并在一個僅為2.28英寸x 2.40英寸x 0.67英寸(57.9毫米x 61.0毫米x 17.0毫米)的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)半磚封裝內(nèi)實(shí)現(xiàn)20W/in3的出色功率密度。
與硅器件相比,GaN器件具有更低的導(dǎo)通電阻值和更優(yōu)異的高速開關(guān)性能,因而在基站和數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域作為有助于降低各種開關(guān)電源的功耗并實(shí)現(xiàn)小型化的器件被寄予厚望。
GaN器件的柵極-源極間額定電壓較低,在開關(guān)工作期間可能會發(fā)生超過額定值的過沖電壓,所以在產(chǎn)品可靠性方面一直存在很大的問題。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
在服務(wù)器系統(tǒng)等領(lǐng)域,由于IoT設(shè)備的需求日益增長,功率轉(zhuǎn)換效率的提升和設(shè)備的小型化已經(jīng)成為重要的社會課題之一,而這就要求功率元器件的進(jìn)一步發(fā)展與進(jìn)步。
ROHM一直在大力推動業(yè)內(nèi)先進(jìn)的SiC元器件和各種具有優(yōu)勢的硅元器件的開發(fā)與量產(chǎn),以及在中等耐壓范圍具有出色的高頻工作性能的GaN器件的開發(fā)。
ROHM就現(xiàn)有GaN器件長期存在的課題開發(fā)出可以提高柵極-源極間額定電壓的技術(shù),能夠?yàn)楦鞣N應(yīng)用提供更廣泛的電源解決方案。
制造商: Texas Instruments
產(chǎn)品種類: 馬達(dá)/運(yùn)動/點(diǎn)火控制器和驅(qū)動器
RoHS: 詳細(xì)信息
產(chǎn)品: Fan / Motor Controllers / Drivers
類型: Half Bridge
工作電源電壓: 4.5 V to 33 V
輸出電流: 2.5 A
工作電源電流: 5 mA
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 125 C
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: VQFN-24
封裝: Cut Tape
封裝: Reel
輸出端數(shù)量: 4 Output
工作頻率: 360 kHz
系列: DRV8935
商標(biāo): Texas Instruments
負(fù)載電壓額定值: 4.5 V to 33 V
開發(fā)套件: DRV8935PEVM
濕度敏感性: Yes
產(chǎn)品類型: Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers
工廠包裝數(shù)量: 3000
子類別: PMIC - Power Management ICs
高達(dá)90%的效率水平可最大限度地減少不必要的熱量產(chǎn)生,并在一個僅為2.28英寸x 2.40英寸x 0.67英寸(57.9毫米x 61.0毫米x 17.0毫米)的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)半磚封裝內(nèi)實(shí)現(xiàn)20W/in3的出色功率密度。
與硅器件相比,GaN器件具有更低的導(dǎo)通電阻值和更優(yōu)異的高速開關(guān)性能,因而在基站和數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域作為有助于降低各種開關(guān)電源的功耗并實(shí)現(xiàn)小型化的器件被寄予厚望。
GaN器件的柵極-源極間額定電壓較低,在開關(guān)工作期間可能會發(fā)生超過額定值的過沖電壓,所以在產(chǎn)品可靠性方面一直存在很大的問題。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
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