CRD-06600FF065N是6.6kW高功率密度雙向電動汽車車載充電機參考設計,采用Wolfspeed公司的630V C3M™SiC MOSFET和Silicon Labs公司的Si8233BB 4A雙路隔離柵極驅動器,以得到大功率密度電動汽車車載充電機(OBC).

峰值效率為96.5%,功率密度為53 W/in^3或3 KW/L.外形尺寸為220mmx180mmx50mm.參考設計采用通用單相輸入電壓,90V和265V之間.

輸出電壓250 V-450 V DC,充電模式的輸出電流為18A,最大輸出功率6.6kW.

制造商: Nexperia

產品種類: 閉鎖

RoHS: 詳細信息

電路數量: 8 Circuit

邏輯類型: CMOS

邏輯系列: AHC

極性: Non-Inverting

靜態(tài)電流: 4 uA

輸出線路數量: 8 Line

高電平輸出電流: - 8 mA

傳播延遲時間: 4.2 ns at 5 V

電源電壓-最大: 5.5 V

電源電壓-最小: 2 V

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 125 C

封裝 / 箱體: SO-20

功能: Transparent

高度: 2.45 mm

長度: 13 mm

輸出類型: 3-State

類型: D-Type

寬度: 7.6 mm

商標: Nexperia

安裝風格: SMD/SMT

通道數量: 8 Channels

輸入線路數量: 8 Line

電源電流—最大值: 4 uA

工作電源電壓: 5 V

產品類型: Latches

復位類型: No Reset

工廠包裝數量: 38

子類別: Logic ICs

零件號別名: 74AHC573D,112

單位重量: 266.700 mg

GaN能夠幫助雷達設計者克服功率、散熱、重量和尺寸、以及成本效益等諸多挑戰(zhàn)，其具備寬的能帶隙，擁有極高的臨界擊穿電場.

具備出色的高溫可靠性、出眾的高供電電壓下的魯棒性，以及優(yōu)異的功率密度。

將碳化硅（SiC）作為 GaN的襯底，能實現較低的熱膨脹、較低的晶格失配，以及出色的熱導率，進而充分發(fā)揮GaN 的特性。

單片微波集成電路（MMIC）能將多個元件的完整功能模塊制造在單個設備中，進而提高電路密度。

(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）