傳輸線組件具有良好的射頻性能覆蓋更寬頻帶提供更低截止頻率
發(fā)布時(shí)間:2021/8/7 21:50:28 訪問(wèn)次數(shù):1075
Pasternack雙脊波導(dǎo)組件新產(chǎn)品系列具有28種型號(hào),包括WRD-180、WRD-650和WRD-750尺寸。 該新產(chǎn)品包括直邊段、彎曲和扭曲外形配置。
與傳統(tǒng)的矩形波導(dǎo)尺寸WRD-180(18-40GHz)、WRD-650(6.5至18GHz)、WRD-750(7.5至18GHz)相比,這些傳輸線組件具有良好的射頻性能,覆蓋更寬的頻帶并提供更低的截止頻率。
連接器系統(tǒng)允許用戶使用電纜連接背板或插入卡,以實(shí)現(xiàn)堅(jiān)固的嵌入式計(jì)算應(yīng)用。堆疊連接器經(jīng)過(guò)精心設(shè)計(jì),可在以下環(huán)境中使用:小型,輕巧和堅(jiān)固的連接器對(duì)于苛刻而艱苦的條件下的可靠性至關(guān)重要。
制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:500 V Id-連續(xù)漏極電流:12 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:320 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:2 V Qg-柵極電荷:27 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:25 W 通道模式:Enhancement 封裝:Tube 配置:Single 晶體管類型:1 N-Channel Power MOSFET 商標(biāo):STMicroelectronics 下降時(shí)間:22 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:16 ns 工廠包裝數(shù)量1000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:42 ns 典型接通延遲時(shí)間:12 ns 單位重量:2 g
為了提供穩(wěn)定的電源,必須確保由DC-DC轉(zhuǎn)換器引起的低頻噪聲不進(jìn)入信號(hào)線中,而解決這一噪聲問(wèn)題就需要用到高感值的電感器元件。
針對(duì)這一情況,本公司將比以往的電感器更小巧的0603 inch(1608 mm)、可應(yīng)對(duì)高溫環(huán)境(150℃)的高感值(6.8~47uH)電感器商品化,以解決低頻噪聲問(wèn)題。
另外,結(jié)合使用本公司產(chǎn)品中非常適合高頻靜噪的片狀鐵氧體磁珠“BLM系列”后,還可以消除更寬頻帶的噪聲。
(素材來(lái)源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
Pasternack雙脊波導(dǎo)組件新產(chǎn)品系列具有28種型號(hào),包括WRD-180、WRD-650和WRD-750尺寸。 該新產(chǎn)品包括直邊段、彎曲和扭曲外形配置。
與傳統(tǒng)的矩形波導(dǎo)尺寸WRD-180(18-40GHz)、WRD-650(6.5至18GHz)、WRD-750(7.5至18GHz)相比,這些傳輸線組件具有良好的射頻性能,覆蓋更寬的頻帶并提供更低的截止頻率。
連接器系統(tǒng)允許用戶使用電纜連接背板或插入卡,以實(shí)現(xiàn)堅(jiān)固的嵌入式計(jì)算應(yīng)用。堆疊連接器經(jīng)過(guò)精心設(shè)計(jì),可在以下環(huán)境中使用:小型,輕巧和堅(jiān)固的連接器對(duì)于苛刻而艱苦的條件下的可靠性至關(guān)重要。
制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:500 V Id-連續(xù)漏極電流:12 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:320 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:2 V Qg-柵極電荷:27 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:25 W 通道模式:Enhancement 封裝:Tube 配置:Single 晶體管類型:1 N-Channel Power MOSFET 商標(biāo):STMicroelectronics 下降時(shí)間:22 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:16 ns 工廠包裝數(shù)量1000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:42 ns 典型接通延遲時(shí)間:12 ns 單位重量:2 g
為了提供穩(wěn)定的電源,必須確保由DC-DC轉(zhuǎn)換器引起的低頻噪聲不進(jìn)入信號(hào)線中,而解決這一噪聲問(wèn)題就需要用到高感值的電感器元件。
針對(duì)這一情況,本公司將比以往的電感器更小巧的0603 inch(1608 mm)、可應(yīng)對(duì)高溫環(huán)境(150℃)的高感值(6.8~47uH)電感器商品化,以解決低頻噪聲問(wèn)題。
另外,結(jié)合使用本公司產(chǎn)品中非常適合高頻靜噪的片狀鐵氧體磁珠“BLM系列”后,還可以消除更寬頻帶的噪聲。
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