Wi-Fi 6E技術(shù)不僅可以使用現(xiàn)有的2GHz 5GHz頻率進(jìn)行簡(jiǎn)便定制
發(fā)布時(shí)間:2021/8/11 13:04:42 訪問(wèn)次數(shù):933
四合一MEMS傳感器采用緊湊封裝,精準(zhǔn)測(cè)量氣體、濕度、溫度和氣壓,并降低總擁有成本(TCO)
這款獨(dú)立設(shè)備使客戶能夠降低總擁有成本,縮短開發(fā)時(shí)間并簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。
新款BME688是創(chuàng)新定制應(yīng)用的理想選擇,比如通過(guò)測(cè)量當(dāng)前氣體、跟蹤溫度和濕度的變化來(lái)檢測(cè)食品變質(zhì)或及時(shí)發(fā)現(xiàn)森林火災(zāi)。
可針對(duì)特定用例,如檢測(cè)變質(zhì)食品、口臭和森林火災(zāi)進(jìn)行簡(jiǎn)便定制
傳感器的人工智能功能和Bosch Sensortec全新的BME AI-Studio軟件工具,讓客戶可以直接針對(duì)自己的特定用例快速開發(fā)定制解決方案。
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-263-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 55 V
Id-連續(xù)漏極電流: 80 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 6.3 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 250 W
通道模式: Enhancement
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 4.4 mm
長(zhǎng)度: 10 mm
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 9.25 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
下降時(shí)間: 36 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 37 ns
工廠包裝數(shù)量: 1000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 61 ns
典型接通延遲時(shí)間: 16 ns
零件號(hào)別名: SP000218818 IPB80N06S207ATMA1
單位重量: 4 g
高清影片 5 秒即可下載完成。訪問(wèn)網(wǎng)絡(luò)僅需 2ms(毫秒,1ms 是 1000 分之 1 秒),與現(xiàn)有時(shí)間相比,最高縮短了 1/7。
這使得在傳輸高清視頻時(shí)不會(huì)出現(xiàn)速度緩慢或斷開的情況。
數(shù)據(jù)速度之所以提高,是因?yàn)?Wi-Fi 6E 技術(shù)不僅可以使用現(xiàn)有的 2GHz、5GHz 頻率,還可以使用 6GHz 頻帶。頻率越高,數(shù)據(jù)傳輸量越大。
可使用的帶寬(電波移動(dòng)路徑的寬度)相較于 2GHz、5GHz 擴(kuò)大了兩倍。一次性能夠傳輸?shù)臄?shù)據(jù)量增多,數(shù)據(jù)移動(dòng)的路徑變寬,因此速度自然提高了。
(素材來(lái)源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
四合一MEMS傳感器采用緊湊封裝,精準(zhǔn)測(cè)量氣體、濕度、溫度和氣壓,并降低總擁有成本(TCO)
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新款BME688是創(chuàng)新定制應(yīng)用的理想選擇,比如通過(guò)測(cè)量當(dāng)前氣體、跟蹤溫度和濕度的變化來(lái)檢測(cè)食品變質(zhì)或及時(shí)發(fā)現(xiàn)森林火災(zāi)。
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制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
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技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-263-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 55 V
Id-連續(xù)漏極電流: 80 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 6.3 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 250 W
通道模式: Enhancement
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 4.4 mm
長(zhǎng)度: 10 mm
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 9.25 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
下降時(shí)間: 36 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 37 ns
工廠包裝數(shù)量: 1000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 61 ns
典型接通延遲時(shí)間: 16 ns
零件號(hào)別名: SP000218818 IPB80N06S207ATMA1
單位重量: 4 g
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