650V CoolSiC™ Hybrid IGBT單管產(chǎn)品組合，具有650V阻斷電壓。

其常見(jiàn)應(yīng)用包括：電動(dòng)車輛充電設(shè)施、儲(chǔ)能系統(tǒng)、光伏逆變器、不間斷電源系統(tǒng) (UPS)，以及服務(wù)器和電信用開(kāi)關(guān)電源 (SMPS)。

由于續(xù)流SiC肖特基二極管與 IGBT 在共同封裝中，在 dv/dt 和 di/dt 值幾乎不變情況下，CoolSiC Hybrid IGBT能大幅降低開(kāi)關(guān)損耗。

與標(biāo)準(zhǔn)的硅二極管解決方案相比，新產(chǎn)品可降低多達(dá) 60% 的 Eon和30%的Eoff。

制造商: Mini-Circuits

產(chǎn)品種類: 射頻放大器

RoHS: 詳細(xì)信息

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SOT-89-4

類型: Gain Block Amplifiers

技術(shù): GaAs InGaP

工作頻率: 10 MHz to 12 GHz

P1dB - 壓縮點(diǎn): 5.1 dBm

增益: 7.1 dB

工作電源電壓: 5 V

NF—噪聲系數(shù): 6.9 dB

OIP3 - 三階截點(diǎn): 14.9 dBm

工作電源電流: 52 mA

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 85 C

系列: GVA

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

商標(biāo): Mini-Circuits

通道數(shù)量: 1 Channel

輸入返回?fù)p失: 6.3 dB

隔離分貝: 20.7 dB

Pd-功率耗散: 0.34 W

產(chǎn)品類型: RF Amplifier

工廠包裝數(shù)量: 1000

子類別: Wireless & RF Integrated Circuits

測(cè)試頻率: 12 GHz

單位重量: 1 g

產(chǎn)品系列可作為純硅解決方案和高性能SiC MOSFET設(shè)計(jì)之間的另一種選擇，與純硅設(shè)計(jì)相比，Hybrid IGBT可提升電磁相容性和系統(tǒng)可靠性。

Kelvin Emitter封裝的第四管腳可實(shí)現(xiàn)超低電感的柵極驅(qū)動(dòng)控制回路，并降低總開(kāi)關(guān)損耗。

導(dǎo)入650 V CoolSiC™ Hybrid IGBT單管在其UPS與組串式光伏逆變器的新平臺(tái)設(shè)計(jì)中，從而提升系統(tǒng)效率，優(yōu)化系統(tǒng)性能。

我們的創(chuàng)新來(lái)自于技術(shù)進(jìn)步和客戶的需求。

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