模組可抗手術(shù)環(huán)境中醫(yī)療設(shè)備的磁干擾（EMI/EMC），無(wú)需同軸電纜或屏蔽電纜。

除此之外，為支持新產(chǎn)品快速引入市場(chǎng)，在ROHM官網(wǎng)上還免費(fèi)提供評(píng)估和導(dǎo)入新產(chǎn)品所需的豐富設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)，其中包括含有驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方法的應(yīng)用指南、電路仿真和光學(xué)仿真用的模型等。

窄體8腳封裝支持600Vpk的工作電壓，絕緣性能為1min耐壓為3000Vrms的，浪涌絕緣耐壓大于6kV。

低導(dǎo)通阻抗性能，其中寬體SOIC16版本提供0.85mOhm導(dǎo)通阻抗，窄體SOIC8腳版本提供1.2mOhm導(dǎo)通阻抗，具有良好的溫升特性。

制造商:Infineon產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS: 詳細(xì)信息技術(shù):Si安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:TDSON-8晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:100 VId-連續(xù)漏極電流:100 ARds On-漏源導(dǎo)通電阻:3.5 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 VVgs th-柵源極閾值電壓:2.3 VQg-柵極電荷:37 nC最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 150 CPd-功率耗散:156 W通道模式:Enhancement封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel晶體管類型:1 N-Channel商標(biāo):Infineon Technologies正向跨導(dǎo) - 最小值:60 S下降時(shí)間:16 ns產(chǎn)品類型:MOSFET上升時(shí)間:10 ns工廠包裝數(shù)量:5000子類別:MOSFETs典型關(guān)閉延遲時(shí)間:40 ns典型接通延遲時(shí)間:9.6 ns

新品 EI-52高性能邊緣智能系統(tǒng)。此款產(chǎn)品設(shè)計(jì)緊湊，搭載第 11 代Intel Core i5/i3/Celeron處理器，采用即插即用系統(tǒng)設(shè)計(jì)，為邊緣到云端互連和 5G & AI 解決方案而設(shè)計(jì)。

它包括硬件和軟件集成包，內(nèi)置Edge X Foundry 物聯(lián)網(wǎng)即插即用開放軟件框架和研華的 WISE-DeviceOn 物聯(lián)網(wǎng)邊緣智能軟件。 

EI-52賦能5G和AI應(yīng)用，支持AIW 5G模塊、Wi-Fi套件、VEGA AI加速模塊和FaceView人臉識(shí)別I.App，加快 AIoT 智能應(yīng)用程序部署、數(shù)據(jù)采集應(yīng)用程序開發(fā)和遠(yuǎn)程設(shè)備管理。

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