BQ79600-Q1 SPI/UART通信接口9伏柵極電壓及全溫度測(cè)試
發(fā)布時(shí)間:2021/8/17 19:10:31 訪問(wèn)次數(shù):670
當(dāng)與BQ79600-Q1 SPI/UART通信接口配合使用時(shí)，它可在車輛停車或熄火時(shí)完全關(guān)閉系統(tǒng)。這有助于設(shè)計(jì)工程師節(jié)省電池電量、提升電池平衡性能并滿足安全性要求。
實(shí)現(xiàn)這種超小型光源面臨著兩大技術(shù)挑戰(zhàn)：使用平面光波電路實(shí)現(xiàn)小型化以及縮短生產(chǎn)時(shí)間。
Teledyne e2v HiRel為其基于GaN Systems技術(shù)的650伏行業(yè)領(lǐng)先高功率產(chǎn)品系列新增兩款耐用型GaN功率HEMT（高電子遷移率晶體管）。
制造商:ROHM Semiconductor 產(chǎn)品種類:肖特基二極管與整流器 產(chǎn)品:Schottky Diodes 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOD-106-2 技術(shù):Si If - 正向電流:3 A Vrrm - 重復(fù)反向電壓:60 V Vf - 正向電壓:560 mV Ifsm - 正向浪涌電流:70 A Ir - 反向電流 :100 uA 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 150 C 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 端接類型:SMD/SMT 類型:Schottky Barrier Diode 商標(biāo):ROHM Semiconductor 產(chǎn)品類型:Schottky Diodes & Rectifiers 工廠包裝數(shù)量1500 子類別:Diodes & Rectifiers 零件號(hào)別名:RB050L-60
對(duì)于所有產(chǎn)品線,Teledyne e2v HiRel都會(huì)針對(duì)最高可靠性應(yīng)用執(zhí)行最嚴(yán)苛認(rèn)證和測(cè)試。
對(duì)于功率器件，這些測(cè)試包括硫酸測(cè)試、高空模擬、動(dòng)態(tài)老化、環(huán)境溫度高達(dá)175°C的階躍應(yīng)力、9伏柵極電壓以及全溫度測(cè)試。
與碳化硅(SiC)器件不同，這次發(fā)布的兩款器件可以輕松地并行實(shí)施，以增加負(fù)載電流或降低有效導(dǎo)通電阻(RDSon)。
依托于新基建的落地發(fā)展，ITS（智能交通系統(tǒng)）成為了智慧城市建設(shè)的基礎(chǔ)與關(guān)鍵。
(素材來(lái)源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）
當(dāng)與BQ79600-Q1 SPI/UART通信接口配合使用時(shí)，它可在車輛停車或熄火時(shí)完全關(guān)閉系統(tǒng)。這有助于設(shè)計(jì)工程師節(jié)省電池電量、提升電池平衡性能并滿足安全性要求。
實(shí)現(xiàn)這種超小型光源面臨著兩大技術(shù)挑戰(zhàn)：使用平面光波電路實(shí)現(xiàn)小型化以及縮短生產(chǎn)時(shí)間。
Teledyne e2v HiRel為其基于GaN Systems技術(shù)的650伏行業(yè)領(lǐng)先高功率產(chǎn)品系列新增兩款耐用型GaN功率HEMT（高電子遷移率晶體管）。
制造商:ROHM Semiconductor 產(chǎn)品種類:肖特基二極管與整流器 產(chǎn)品:Schottky Diodes 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOD-106-2 技術(shù):Si If - 正向電流:3 A Vrrm - 重復(fù)反向電壓:60 V Vf - 正向電壓:560 mV Ifsm - 正向浪涌電流:70 A Ir - 反向電流 :100 uA 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 150 C 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 端接類型:SMD/SMT 類型:Schottky Barrier Diode 商標(biāo):ROHM Semiconductor 產(chǎn)品類型:Schottky Diodes & Rectifiers 工廠包裝數(shù)量1500 子類別:Diodes & Rectifiers 零件號(hào)別名:RB050L-60
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對(duì)于功率器件，這些測(cè)試包括硫酸測(cè)試、高空模擬、動(dòng)態(tài)老化、環(huán)境溫度高達(dá)175°C的階躍應(yīng)力、9伏柵極電壓以及全溫度測(cè)試。
與碳化硅(SiC)器件不同，這次發(fā)布的兩款器件可以輕松地并行實(shí)施，以增加負(fù)載電流或降低有效導(dǎo)通電阻(RDSon)。
依托于新基建的落地發(fā)展，ITS（智能交通系統(tǒng)）成為了智慧城市建設(shè)的基礎(chǔ)與關(guān)鍵。
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