HBM3集成式存儲器子系統(tǒng)實現(xiàn)高達8.4Gbps的HBM3運行速率
發(fā)布時間:2021/8/25 13:06:26 訪問次數(shù):333
在2.5D內(nèi)存系統(tǒng)架構設計和實現(xiàn)方面的深厚積淀,Rambus實現(xiàn)了高達8.4Gbps的HBM3運行速率。
除了支持HBM3的完全集成式存儲器子系統(tǒng)外,Rambus還為客戶提供中介層和封裝的參考設計,加快客戶產(chǎn)品上市速度。
通過采用我們支持HBM的超高性能內(nèi)存子系統(tǒng),設計人員能夠為要求最嚴苛的設計方案實現(xiàn)所需帶寬;趶V泛的HBM2客戶部署基數(shù),我們打造了完全集成的PHY和數(shù)字控制器解決方案,并提供全套支持服務,可確保任務關鍵型AI/ML設計的一次到位成功實現(xiàn)。
制造商:STMicroelectronics產(chǎn)品種類:門驅(qū)動器RoHS: 產(chǎn)品:Driver ICs - Various類型:High Side安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:PowerSO-16輸出電流:10 A電源電壓-最小:4.5 V電源電壓-最大:41 V最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 125 C系列:資格:AEC-Q100封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel技術:Si商標:STMicroelectronics濕度敏感性:Yes工作電源電流:3.5 mA工作電源電壓:4.5 V to 28 V產(chǎn)品類型:Gate Drivers600子類別:PMIC - Power Management ICs單位重量:1.130 g
nPM1100不僅可為小型電池充電,還能為物理空間受限的應用提供高效電源管理。
Nordic Semiconductor是專注于研發(fā)物聯(lián)網(wǎng)無線技術的無晶圓廠半導體企業(yè)、創(chuàng)新者及市場領導者。支持HBM3的內(nèi)存接口子系統(tǒng),內(nèi)含完全集成的PHY和數(shù)字控制器。
在2.5D內(nèi)存系統(tǒng)架構設計和實現(xiàn)方面的深厚積淀,Rambus實現(xiàn)了高達8.4Gbps的HBM3運行速率。
除了支持HBM3的完全集成式存儲器子系統(tǒng)外,Rambus還為客戶提供中介層和封裝的參考設計,加快客戶產(chǎn)品上市速度。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝)
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nPM1100不僅可為小型電池充電,還能為物理空間受限的應用提供高效電源管理。
Nordic Semiconductor是專注于研發(fā)物聯(lián)網(wǎng)無線技術的無晶圓廠半導體企業(yè)、創(chuàng)新者及市場領導者。支持HBM3的內(nèi)存接口子系統(tǒng),內(nèi)含完全集成的PHY和數(shù)字控制器。
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