全功能便攜式計(jì)算機(jī)帶來(lái)電池驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)(和5V操作)的新性能期望
發(fā)布時(shí)間:2021/8/30 23:19:18 訪問(wèn)次數(shù):1666
RL78/I1A AC/DC LED控制評(píng)估板的系統(tǒng)框圖,該LED照明系統(tǒng)響應(yīng)開關(guān)輸入來(lái)控制PFC和三個(gè)LED。該系統(tǒng)不需要額外的外部IC即可控制PFC和LED,因?yàn)槭褂肦L78 / I1A微控制器可以控制它們。
通過(guò)二極管鉗位環(huán)流的反激電流等于電動(dòng)機(jī)電流,該電流在電動(dòng)機(jī)加速或制動(dòng)期間達(dá)到其最大水平。
盡管鉗位二極管中的功率損耗(VSD乘以再循環(huán)電流)僅占占空比的一小部分,但如果正向壓降過(guò)大,則可能對(duì)MOSFET的整體發(fā)熱做出重大貢獻(xiàn)。
在MOSFET最大(連續(xù))正向漏極電流額定值下,每個(gè)半橋的n溝道和p溝道器件都規(guī)定最大正向壓降1.6V。
制造商:Diodes Incorporated 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:60 V Id-連續(xù)漏極電流:200 mA Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:2.5 Ohms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1.3 V Qg-柵極電荷:- 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:330 mW 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:1.02 mm 長(zhǎng)度:3.04 mm 產(chǎn)品:MOSFET Small Signal 晶體管類型:1 N-Channel 類型:FET 寬度:1.4 mm 商標(biāo):Diodes Incorporated 正向跨導(dǎo) - 最小值:150 mS 下降時(shí)間:8 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:7 ns 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:6 ns 典型接通延遲時(shí)間:5 ns 單位重量:8 mg
小腳設(shè)備在各種低壓電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中提供了可測(cè)量的優(yōu)勢(shì)。
在計(jì)算機(jī)硬盤中,諸如磁道密度,尋道時(shí)間和功耗之類的關(guān)鍵特征與主軸電機(jī)和磁頭致動(dòng)器驅(qū)動(dòng)電路的效率直接相關(guān)。
磁盤驅(qū)動(dòng)器必須從計(jì)算機(jī)系統(tǒng)提供的低壓電源(傳統(tǒng)上,穩(wěn)壓良好的12 V電源)中獲取最大的電動(dòng)機(jī)性能。復(fù)雜的全功能便攜式計(jì)算機(jī)的出現(xiàn)帶來(lái)了電池驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)(和5V操作)的新性能期望。
這種開關(guān)能力極大地?cái)U(kuò)展了CMOS開關(guān)模式IC的輸出功率范圍。
(素材來(lái)源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
RL78/I1A AC/DC LED控制評(píng)估板的系統(tǒng)框圖,該LED照明系統(tǒng)響應(yīng)開關(guān)輸入來(lái)控制PFC和三個(gè)LED。該系統(tǒng)不需要額外的外部IC即可控制PFC和LED,因?yàn)槭褂肦L78 / I1A微控制器可以控制它們。
通過(guò)二極管鉗位環(huán)流的反激電流等于電動(dòng)機(jī)電流,該電流在電動(dòng)機(jī)加速或制動(dòng)期間達(dá)到其最大水平。
盡管鉗位二極管中的功率損耗(VSD乘以再循環(huán)電流)僅占占空比的一小部分,但如果正向壓降過(guò)大,則可能對(duì)MOSFET的整體發(fā)熱做出重大貢獻(xiàn)。
在MOSFET最大(連續(xù))正向漏極電流額定值下,每個(gè)半橋的n溝道和p溝道器件都規(guī)定最大正向壓降1.6V。
制造商:Diodes Incorporated 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:60 V Id-連續(xù)漏極電流:200 mA Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:2.5 Ohms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1.3 V Qg-柵極電荷:- 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:330 mW 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:1.02 mm 長(zhǎng)度:3.04 mm 產(chǎn)品:MOSFET Small Signal 晶體管類型:1 N-Channel 類型:FET 寬度:1.4 mm 商標(biāo):Diodes Incorporated 正向跨導(dǎo) - 最小值:150 mS 下降時(shí)間:8 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:7 ns 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:6 ns 典型接通延遲時(shí)間:5 ns 單位重量:8 mg
小腳設(shè)備在各種低壓電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中提供了可測(cè)量的優(yōu)勢(shì)。
在計(jì)算機(jī)硬盤中,諸如磁道密度,尋道時(shí)間和功耗之類的關(guān)鍵特征與主軸電機(jī)和磁頭致動(dòng)器驅(qū)動(dòng)電路的效率直接相關(guān)。
磁盤驅(qū)動(dòng)器必須從計(jì)算機(jī)系統(tǒng)提供的低壓電源(傳統(tǒng)上,穩(wěn)壓良好的12 V電源)中獲取最大的電動(dòng)機(jī)性能。復(fù)雜的全功能便攜式計(jì)算機(jī)的出現(xiàn)帶來(lái)了電池驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)(和5V操作)的新性能期望。
這種開關(guān)能力極大地?cái)U(kuò)展了CMOS開關(guān)模式IC的輸出功率范圍。
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