臨界導(dǎo)通模式 (CrM) 圖騰柱PFC控制器，是該公司超高密度離線電源方案集的新成員。

在傳統(tǒng)的PFC電路中，整流橋二極管在240 W電源中的損耗約4 W，占總損耗的20%左右。相比之下，PFC級(jí)的能效通常為97%，LLC電路實(shí)現(xiàn)類(lèi)似的性能。

然而，用 "圖騰柱 "配置的開(kāi)關(guān)取代有損耗的二極管，并拉入升壓PFC功能，可減少電橋損耗，顯著提高整體能效。此外，NCP1680可適用于任何開(kāi)關(guān)類(lèi)型，無(wú)論是超級(jí)結(jié)硅MOSFET還是碳化硅 (SiC) 或氮化鎵 (GaN) 等寬禁帶開(kāi)關(guān)。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-220-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V

Id-連續(xù)漏極電流: 90 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 2.1 mOhms

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Tube

商標(biāo): Infineon Technologies

配置: Single

高度: 15.65 mm

長(zhǎng)度: 10 mm

產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET

系列: OptiMOS-T2

工廠包裝數(shù)量: 500

子類(lèi)別: MOSFETs

晶體管類(lèi)型: 1 N-Channel

寬度: 4.4 mm

零件號(hào)別名: IPP90N04S402XK SP000646200 IPP90N04S402AKSA1

單位重量: 2 g

新的NCP1680 CrM圖騰柱PFC控制器采用新穎的電流限制架構(gòu)和線路相位檢測(cè)，同時(shí)結(jié)合經(jīng)驗(yàn)證的控制算法，提供高性?xún)r(jià)比的圖騰柱 PFC方案，而不影響性能。

該 IC 的核心是內(nèi)部補(bǔ)償數(shù)字環(huán)路控制。該創(chuàng)新器件采用含谷底開(kāi)關(guān)的恒定導(dǎo)通時(shí)間 CrM 架構(gòu)。

安森美半導(dǎo)體已發(fā)布采用TO-247-4L和D2PAK-7L封裝的650V SiC MOSFET，并將繼續(xù)猛增該產(chǎn)品系列。 此外，安森美半導(dǎo)體提供完整的硅基 650 V SUPERFET® III MOSFET 產(chǎn)品組合。

該高度集成的器件可使電源設(shè)計(jì)在通用電源 (90 至 265 Vac) 下以高達(dá)350 W的建議功率水平工作。

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