3kV版本的特點(diǎn)是，開(kāi)關(guān)和線圈引腳之間的間隙更大，可適應(yīng)更高的電壓。此外，還可應(yīng)要求提供電壓更高的干簧開(kāi)關(guān)。

另外，這個(gè)系列的繼電器還具有內(nèi)部mu-metal磁性屏蔽功能，以避免由于緊密排布產(chǎn)生磁相互作用而導(dǎo)致的問(wèn)題。

SAMXD提供兩種起動(dòng)力（5.3N和6N）和兩種起動(dòng)手柄位置（左和中）。此外, 起動(dòng)手柄還有兩種外形, 方形和圓形。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-220-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 80 V

Id-連續(xù)漏極電流: 120 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 2.1 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

Qg-柵極電荷: 167 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 278 W

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q101

封裝: Tube

商標(biāo): Infineon Technologies

配置: Single

下降時(shí)間: 50 ns

正向跨導(dǎo) - 最小值: -

高度: 15.65 mm

長(zhǎng)度: 10 mm

產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET

上升時(shí)間: 15 ns

工廠包裝數(shù)量: 50

子類(lèi)別: MOSFETs

晶體管類(lèi)型: 1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 60 ns

典型接通延遲時(shí)間: 30 ns

寬度: 4.4 mm

零件號(hào)別名: IPP120N08S4-03 SP000989106

單位重量: 2 g

MAX98396 D/G類(lèi)放大器旨在滿足下一代智能和無(wú)線揚(yáng)聲器的需求.用于支持高分辨率音頻設(shè)備的揚(yáng)聲器放大器需要具備超低噪聲,終端用戶可以將其放置在床邊等安靜環(huán)境下。

00HV系列提供三種類(lèi)型的干簧開(kāi)關(guān)，可承受 1.5kVdc、2 kVdc 或 3kVdc 的截止電壓。

新款耐高壓?jiǎn)瘟兄辈錝IL/SIP 舌簧繼電器在一個(gè)封裝內(nèi)提供一個(gè)或兩個(gè)開(kāi)關(guān)，且提供 1 Form A、2 Form A 和 1 Form B 三種配置選擇。

另外，還提供5V、12V 或 24V 三種線圈電壓選擇，且可以選配內(nèi)部二極管。

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