開關(guān)頻率可以是固定的250kHz或500kHz或可調(diào)至700kHz
發(fā)布時(shí)間:2021/10/2 21:50:26 訪問次數(shù):549
TPS54350集成了高邊的MOSFET和可選擇的低邊外接MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)器.器件還有高性能的電壓誤差放大器,它能在瞬變狀態(tài)下最大化器件的性能以及在選擇輸出濾波器電感和電容的靈活性.
開關(guān)頻率可以是固定的250kHz或500kHz或可調(diào)至700kHz,以降低無源元件的尺寸.
該產(chǎn)品在6mm × 6mm的40引腳芯片中集成了四個(gè)由I2C控制的150mA LED背光驅(qū)動(dòng)器以及一個(gè)四輸出薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD) 偏置電源,可幫助工程師設(shè)計(jì)出空間占用更小的汽車儀表板、中控屏和導(dǎo)航顯示器。
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 55 V
Id-連續(xù)漏極電流: 80 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 5 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 300 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
配置: Single
高度: 15.65 mm
長(zhǎng)度: 10 mm
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 4.4 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
下降時(shí)間: 22 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 23 ns
工廠包裝數(shù)量: 500
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 75 ns
典型接通延遲時(shí)間: 19 ns
零件號(hào)別名: SP000219067 IPP80N06S2LH5AKSA1
單位重量: 2 g
集成的10Gbps RocketIO X收發(fā)器包括可選擇的8B/10B或64B/66B編碼,20位或16位數(shù)據(jù)通路,以及20x或16x時(shí)鐘.
嵌入了8或20通道高性能RocketIO X串行收發(fā)器,每通道工作從2.488到10.3125Gbps;20X和16X時(shí)鐘和數(shù)據(jù)通路;8B/10B或64B/66B編碼;SONETOC-48 抖動(dòng)兼容.
它還有通道連接,幾種有調(diào)諧特性的性能,包括有預(yù)補(bǔ)償電路,接收器均衡,差分電壓擺幅和片內(nèi)終止.RocketIO X收發(fā)器能適應(yīng)系統(tǒng)的要求,能通過內(nèi)部配置端口動(dòng)態(tài)地編程.
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
TPS54350集成了高邊的MOSFET和可選擇的低邊外接MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)器.器件還有高性能的電壓誤差放大器,它能在瞬變狀態(tài)下最大化器件的性能以及在選擇輸出濾波器電感和電容的靈活性.
開關(guān)頻率可以是固定的250kHz或500kHz或可調(diào)至700kHz,以降低無源元件的尺寸.
該產(chǎn)品在6mm × 6mm的40引腳芯片中集成了四個(gè)由I2C控制的150mA LED背光驅(qū)動(dòng)器以及一個(gè)四輸出薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD) 偏置電源,可幫助工程師設(shè)計(jì)出空間占用更小的汽車儀表板、中控屏和導(dǎo)航顯示器。
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 55 V
Id-連續(xù)漏極電流: 80 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 5 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 300 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
配置: Single
高度: 15.65 mm
長(zhǎng)度: 10 mm
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 4.4 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
下降時(shí)間: 22 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 23 ns
工廠包裝數(shù)量: 500
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 75 ns
典型接通延遲時(shí)間: 19 ns
零件號(hào)別名: SP000219067 IPP80N06S2LH5AKSA1
單位重量: 2 g
集成的10Gbps RocketIO X收發(fā)器包括可選擇的8B/10B或64B/66B編碼,20位或16位數(shù)據(jù)通路,以及20x或16x時(shí)鐘.
嵌入了8或20通道高性能RocketIO X串行收發(fā)器,每通道工作從2.488到10.3125Gbps;20X和16X時(shí)鐘和數(shù)據(jù)通路;8B/10B或64B/66B編碼;SONETOC-48 抖動(dòng)兼容.
它還有通道連接,幾種有調(diào)諧特性的性能,包括有預(yù)補(bǔ)償電路,接收器均衡,差分電壓擺幅和片內(nèi)終止.RocketIO X收發(fā)器能適應(yīng)系統(tǒng)的要求,能通過內(nèi)部配置端口動(dòng)態(tài)地編程.
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
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