系統(tǒng)仿真和建模方案適合無線通信和雷達(dá)設(shè)計(jì)中射頻器件和組件
發(fā)布時(shí)間:2021/10/9 12:47:45 訪問次數(shù):163
二極管泵固態(tài)(DPSS)激光器系統(tǒng)85 BTA,它是第一個(gè)這樣的器件,能發(fā)射442nm波長(zhǎng)。以前這樣的波長(zhǎng)只能用氦鎘激光器才能獲得。
適合用在激光感應(yīng)誘發(fā)熒光和度量衡,該器件是線性極化,近乎園的光束(1.1:1),工作在單一縱向和單一橫向兩個(gè)模式。
該器件保證輸出5,8或10W的輸出功率,有自動(dòng)功率控制,系統(tǒng)由CE和CDRH鑒定。系統(tǒng)封裝還包括有激光器電源。
制造商:Infineon 產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS: 詳細(xì)信息 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TO-252-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:40 V Id-連續(xù)漏極電流:90 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:2.4 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:3.9 V Qg-柵極電荷:89 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 175 C Pd-功率耗散:140 W 通道模式:Enhancement 商標(biāo)名:StrongIRFET 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:2.3 mm 長(zhǎng)度:6.5 mm 晶體管類型:1 N-Channel 類型:HEXFET Power MOSFET 寬度:6.22 mm 商標(biāo):Infineon / IR 正向跨導(dǎo) - 最小值:280 S 下降時(shí)間:34 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:39 ns 工廠包裝數(shù)量:2000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:51 ns 典型接通延遲時(shí)間:11 ns 零件號(hào)別名:IRFR7440TRPBF SP001573310 單位重量:330 mg
射頻系統(tǒng)設(shè)計(jì)的早期階段就采用實(shí)際信號(hào)進(jìn)行仿真的重要性更勝以往。
R&S VSESIM-VSS 信號(hào)創(chuàng)建和分析工具是 Cadence® Visual System Simulator™ (VSS) 軟件的補(bǔ)充,這套成熟的系統(tǒng)仿真和建模方案特別適合于無線通信和雷達(dá)設(shè)計(jì)中的射頻器件和組件。
R&S VSESIM-VSS 結(jié)合了這些功能,并為 Cadence 電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化 (EDA) 工具增加了插件。
射頻前端通信 IC 和系統(tǒng)時(shí)需要獲得最新的通信標(biāo)準(zhǔn)。我們兩公司的聯(lián)合解決方案可以幫助我們共同的客戶在整個(gè)設(shè)計(jì)階段準(zhǔn)確分析符合標(biāo)準(zhǔn)的信號(hào),包括最后的測(cè)試驗(yàn)證。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
二極管泵固態(tài)(DPSS)激光器系統(tǒng)85 BTA,它是第一個(gè)這樣的器件,能發(fā)射442nm波長(zhǎng)。以前這樣的波長(zhǎng)只能用氦鎘激光器才能獲得。
適合用在激光感應(yīng)誘發(fā)熒光和度量衡,該器件是線性極化,近乎園的光束(1.1:1),工作在單一縱向和單一橫向兩個(gè)模式。
該器件保證輸出5,8或10W的輸出功率,有自動(dòng)功率控制,系統(tǒng)由CE和CDRH鑒定。系統(tǒng)封裝還包括有激光器電源。
制造商:Infineon 產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS: 詳細(xì)信息 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TO-252-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:40 V Id-連續(xù)漏極電流:90 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:2.4 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:3.9 V Qg-柵極電荷:89 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 175 C Pd-功率耗散:140 W 通道模式:Enhancement 商標(biāo)名:StrongIRFET 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:2.3 mm 長(zhǎng)度:6.5 mm 晶體管類型:1 N-Channel 類型:HEXFET Power MOSFET 寬度:6.22 mm 商標(biāo):Infineon / IR 正向跨導(dǎo) - 最小值:280 S 下降時(shí)間:34 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:39 ns 工廠包裝數(shù)量:2000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:51 ns 典型接通延遲時(shí)間:11 ns 零件號(hào)別名:IRFR7440TRPBF SP001573310 單位重量:330 mg
射頻系統(tǒng)設(shè)計(jì)的早期階段就采用實(shí)際信號(hào)進(jìn)行仿真的重要性更勝以往。
R&S VSESIM-VSS 信號(hào)創(chuàng)建和分析工具是 Cadence® Visual System Simulator™ (VSS) 軟件的補(bǔ)充,這套成熟的系統(tǒng)仿真和建模方案特別適合于無線通信和雷達(dá)設(shè)計(jì)中的射頻器件和組件。
R&S VSESIM-VSS 結(jié)合了這些功能,并為 Cadence 電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化 (EDA) 工具增加了插件。
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