RDS(on)×COSS(tr)這一FoM則在軟開關(guān)應(yīng)用中至關(guān)重要，如果將UnitedSiC額定電壓為750V的器件與競爭對手額定電壓為650V的器件相比，前者的這個(gè)值比后者低約30%。

對于硬開關(guān)應(yīng)用，SiC FET的集成體二極管在恢復(fù)速度和正向壓降方面優(yōu)于競爭對手的Si MOSFET或SiC MOSFET技術(shù)。

第4代技術(shù)中所包含的其他優(yōu)勢，則是通過先進(jìn)的晶圓減薄技術(shù)和銀燒結(jié)貼片工藝降低了從裸片到外殼的熱阻。這些特性可在要求苛刻的應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)最大功率輸出，同時(shí)實(shí)現(xiàn)低芯片溫升。

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: HSOF-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V

Id-連續(xù)漏極電流: 23 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 22 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 4.5 V

Qg-柵極電荷: 150 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 390 W

通道模式: Enhancement

封裝: Cut Tape

封裝: Reel

配置: Single

晶體管類型: 1 N-Channel

商標(biāo): Infineon Technologies

下降時(shí)間: 9 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 4 ns

工廠包裝數(shù)量: 2000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 150 ns

典型接通延遲時(shí)間: 30 ns

零件號別名: IPT60R022S7 SP003330410

單位重量: 771.020 mg

小尺寸SMT同軸連接器MCX E型，它是小型（LP）卡邊緣連接器，支持回流焊，在PC板上方僅高出2.7mm ,在PC板下方僅有1.06mm。

它是最小可用的MCX型同軸連接器。它能在18GHz下提供50-W的性能。

這種連接器在插槽內(nèi)有小的突出部分，能插進(jìn)板上的焊盤孔，在回流焊過程中連接器鎖住在板上，不用粘合劑，同時(shí)也降低了焊點(diǎn)應(yīng)力。

該連接器有陰陽兩種類型，接觸面鍍金。也可由用戶來選擇鍍層金屬。

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