內(nèi)置MOS管的同步升壓芯片A/D轉(zhuǎn)換器通道數(shù)量從64增加到128
發(fā)布時間:2021/11/8 19:20:58 訪問次數(shù):198
70W以上的DC-DC升壓電路，由于專用升壓芯片封裝散熱的局限性，導(dǎo)致內(nèi)部開關(guān)管的功率受到限制，很難做到集成MOS開關(guān)管的大功率升壓轉(zhuǎn)換IC。
尤其內(nèi)置MOS管的同步升壓芯片在大功率應(yīng)用更是如此。
大功率的DC-DC升壓應(yīng)用需求，推廣一款集成15A開關(guān)管的26.8V、120W輸出、大電流非同步DC-DC升壓IC-HT7179。HT7179采用獨到的電路研發(fā)技術(shù)以及先進的半導(dǎo)體工藝，重載時高達93%以上的工作效率，無需外加散熱器，升壓到26.8V，可穩(wěn)定輸出120W。
與前一代AS5950相比，新一代產(chǎn)品主要是提高了相同探測器覆蓋范圍的空間分辨率。亞毫米級等方性像素間距可提高圖像的分辨率。
AS5951的光電二極管陣列由間距為0.98 x 0.98 mm2的16 x 8像素組成，與前代產(chǎn)品的0.98 x 1.96 mm2間距相比實現(xiàn)了改進。
為滿足更高像素密度要求，A/D轉(zhuǎn)換器（ADC）的通道數(shù)量從64增加到128。像素尺寸可在較短的開發(fā)周期內(nèi)完成定制，以滿足客戶的需求。
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）
70W以上的DC-DC升壓電路，由于專用升壓芯片封裝散熱的局限性，導(dǎo)致內(nèi)部開關(guān)管的功率受到限制，很難做到集成MOS開關(guān)管的大功率升壓轉(zhuǎn)換IC。
尤其內(nèi)置MOS管的同步升壓芯片在大功率應(yīng)用更是如此。
大功率的DC-DC升壓應(yīng)用需求，推廣一款集成15A開關(guān)管的26.8V、120W輸出、大電流非同步DC-DC升壓IC-HT7179。HT7179采用獨到的電路研發(fā)技術(shù)以及先進的半導(dǎo)體工藝，重載時高達93%以上的工作效率，無需外加散熱器，升壓到26.8V，可穩(wěn)定輸出120W。
與前一代AS5950相比，新一代產(chǎn)品主要是提高了相同探測器覆蓋范圍的空間分辨率。亞毫米級等方性像素間距可提高圖像的分辨率。
AS5951的光電二極管陣列由間距為0.98 x 0.98 mm2的16 x 8像素組成，與前代產(chǎn)品的0.98 x 1.96 mm2間距相比實現(xiàn)了改進。
為滿足更高像素密度要求，A/D轉(zhuǎn)換器（ADC）的通道數(shù)量從64增加到128。像素尺寸可在較短的開發(fā)周期內(nèi)完成定制，以滿足客戶的需求。
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