RAA489206為4S至16S電池組全面高側(cè)電池保護(hù)與監(jiān)測功能
發(fā)布時間:2021/11/16 22:38:50 訪問次數(shù):472
RAA489206專為更高電壓電動車等應(yīng)用而設(shè)計，在此類應(yīng)用中，更大的電池數(shù)量和電池間溫度差異更有可能導(dǎo)致電芯間的不平衡。
RAA489206為4S至16S電池組提供全面的高側(cè)電池保護(hù)與監(jiān)測功能。RAA489204具有優(yōu)化的菊花鏈級聯(lián)，加速器件間通信，增強的診斷功能，還提供內(nèi)部電芯平衡選項，支持UPS系統(tǒng)、電網(wǎng)備份和其它儲能系統(tǒng)所需的更高電壓及電芯數(shù)量。
產(chǎn)品與瑞薩現(xiàn)有BFE器件引腳兼容,進(jìn)一步簡化了設(shè)計周期,為客戶帶來無縫遷移至新BFE IC快速途徑。
1/3英寸的4K圖像傳感器，并受到了市場與客戶的雙重好評及認(rèn)可。此次推出的新品便是繼該顆芯片取得成功后，思特威不斷超越自我，成像性能重磅升級的又一芯片佳作。
器件滿足汽車規(guī)范AEC-Q100:grade 1: –40°C ≤ TJ ≤ 150°C和grade 1:–40 °C ≤ TA ≤ 125°C.
a為修正系數(shù)，R為常數(shù)，Qp值可用于確定壓力等級，并與流量成一定比例。
研究人員在此基礎(chǔ)上通過調(diào)整發(fā)動機電控系統(tǒng)中的電控持續(xù)時間進(jìn)行補償，同樣也可借助于噴油量指示器確定基準(zhǔn)噴油量Qref。
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）
RAA489206專為更高電壓電動車等應(yīng)用而設(shè)計，在此類應(yīng)用中，更大的電池數(shù)量和電池間溫度差異更有可能導(dǎo)致電芯間的不平衡。
RAA489206為4S至16S電池組提供全面的高側(cè)電池保護(hù)與監(jiān)測功能。RAA489204具有優(yōu)化的菊花鏈級聯(lián)，加速器件間通信，增強的診斷功能，還提供內(nèi)部電芯平衡選項，支持UPS系統(tǒng)、電網(wǎng)備份和其它儲能系統(tǒng)所需的更高電壓及電芯數(shù)量。
產(chǎn)品與瑞薩現(xiàn)有BFE器件引腳兼容,進(jìn)一步簡化了設(shè)計周期,為客戶帶來無縫遷移至新BFE IC快速途徑。
1/3英寸的4K圖像傳感器，并受到了市場與客戶的雙重好評及認(rèn)可。此次推出的新品便是繼該顆芯片取得成功后，思特威不斷超越自我，成像性能重磅升級的又一芯片佳作。
器件滿足汽車規(guī)范AEC-Q100:grade 1: –40°C ≤ TJ ≤ 150°C和grade 1:–40 °C ≤ TA ≤ 125°C.
a為修正系數(shù)，R為常數(shù)，Qp值可用于確定壓力等級，并與流量成一定比例。
研究人員在此基礎(chǔ)上通過調(diào)整發(fā)動機電控系統(tǒng)中的電控持續(xù)時間進(jìn)行補償，同樣也可借助于噴油量指示器確定基準(zhǔn)噴油量Qref。
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）
相關(guān)技術(shù)資料- 1-9PCB嵌入式功率芯片封裝工作原理
- 1-9莫仕儲能連接器技術(shù)結(jié)構(gòu)應(yīng)用詳情
- 1-9新款 Snapdragon X 芯片
- 1-9Intel 18A（1.8nm級）工藝技術(shù)探究
- 1-9業(yè)界首款STM32配套無線物聯(lián)網(wǎng)模塊
- 1-92025年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)十大熱門看點
- 1-8第8代1800A/1200V IGBT功率模塊簡述
- 1-81200V CoolSiC嵌入的技術(shù)方案和應(yīng)用探究
- 1-8PCB嵌入式功率芯片封裝應(yīng)用研究
- 1-8反射傳感器簡化光電開關(guān)設(shè)計
- 1-8導(dǎo)電性高分子混合鋁電解電容器
- 1-8PCIe Gen4 SSD主控芯片
熱門點擊
- 40nm超低功耗(ULP)制造技術(shù)低漏電物理
- RAA489206為4S至16S電池組全面高
- ADS8412單極有雙極范圍差分輸入AVR單
- 熱力學(xué)測試和帶外(OOB)測試ESP32-S
- 低電平作用漏極開路重置MA12070P短路超
- 高共模衰減的數(shù)據(jù)線濾波器WE-CNSW額定電
- 音頻波段中48uVRMS控制直流無刷電動機的
- MOSFET限流模式可通過BYPASS引腳電
- 2AOUT時3節(jié)電池的峰值效率為97%將壓力
- TrueFFS閃存管理技術(shù)改善通信和無鑰匙開
推薦技術(shù)資料
- PCB嵌入式功率芯片封裝工作原理
- 莫仕儲能連接器技術(shù)結(jié)構(gòu)應(yīng)用詳情
- 新款 Snapdragon X
- Intel 18A（1.8nm
- 業(yè)界首款STM32配套無線物聯(lián)網(wǎng)模塊
- 2025年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)十大熱門看點
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究
公網(wǎng)安備44030402000607
