控制IC的相同功率模塊并聯(lián)SM-ChiP模塊中實(shí)現(xiàn)抗干擾功能
發(fā)布時(shí)間:2021/11/22 13:09:14 訪問次數(shù):115
西門子的mPower解決方案幫助我們做到了以前難以實(shí)現(xiàn)的工作，在其助力下，我們現(xiàn)在可以在大型模擬電路的流片過程中，充滿信心地評估EM/IR。
除了出色的模擬功能之外，西門子全新的數(shù)字化 mPower 可擴(kuò)展式 EM/IR 引擎還可為所有數(shù)字 IC 設(shè)計(jì)進(jìn)行分析。
這種數(shù)字化解決方案可以輕松地集成到現(xiàn)有各種設(shè)計(jì)流程之中，提供世界一流的電源分析功能，每臺機(jī)器僅需消耗很低的存儲容量即可實(shí)現(xiàn)，即便對于最大規(guī)模的數(shù)字設(shè)計(jì)也依然適用。
SiC MOS由于具有更小的開關(guān)損耗，這可使客戶可以直接將裝置通過散熱片安裝在PCB上，無需風(fēng)冷散熱，這極大減少了制造成本，提高了系統(tǒng)的可靠性。
與使用硅器件相比，更小的損耗同時(shí)意味著可以工作在更高的開關(guān)頻率，從而減小電源體積和重量，有助于工業(yè)設(shè)備實(shí)現(xiàn)顯著小型化、高可靠性和節(jié)能化。
從電源到負(fù)載點(diǎn)的完整解決方案由四個(gè) SM-ChiP 組成：一個(gè) BCM3423（標(biāo)稱 100V、300 瓦 K = 1/3 的母線轉(zhuǎn)換器，采用 34 x 23 毫米封裝）、一個(gè) PRM2919（33V 標(biāo)稱 200W 穩(wěn)壓器.
采用 29 x 19 毫米封裝）和兩個(gè) VTM2919 電流倍增器（一個(gè) K = 1/32、電流為 150A 時(shí)，輸出電壓為 0.8V；一個(gè) K = 1/8，電流為 25A 時(shí)，輸出電壓為 3.4V）。
(素材來源：eepw.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）
西門子的mPower解決方案幫助我們做到了以前難以實(shí)現(xiàn)的工作，在其助力下，我們現(xiàn)在可以在大型模擬電路的流片過程中，充滿信心地評估EM/IR。
除了出色的模擬功能之外，西門子全新的數(shù)字化 mPower 可擴(kuò)展式 EM/IR 引擎還可為所有數(shù)字 IC 設(shè)計(jì)進(jìn)行分析。
這種數(shù)字化解決方案可以輕松地集成到現(xiàn)有各種設(shè)計(jì)流程之中，提供世界一流的電源分析功能，每臺機(jī)器僅需消耗很低的存儲容量即可實(shí)現(xiàn)，即便對于最大規(guī)模的數(shù)字設(shè)計(jì)也依然適用。
SiC MOS由于具有更小的開關(guān)損耗，這可使客戶可以直接將裝置通過散熱片安裝在PCB上，無需風(fēng)冷散熱，這極大減少了制造成本，提高了系統(tǒng)的可靠性。
與使用硅器件相比，更小的損耗同時(shí)意味著可以工作在更高的開關(guān)頻率，從而減小電源體積和重量，有助于工業(yè)設(shè)備實(shí)現(xiàn)顯著小型化、高可靠性和節(jié)能化。
從電源到負(fù)載點(diǎn)的完整解決方案由四個(gè) SM-ChiP 組成：一個(gè) BCM3423（標(biāo)稱 100V、300 瓦 K = 1/3 的母線轉(zhuǎn)換器，采用 34 x 23 毫米封裝）、一個(gè) PRM2919（33V 標(biāo)稱 200W 穩(wěn)壓器.
采用 29 x 19 毫米封裝）和兩個(gè) VTM2919 電流倍增器（一個(gè) K = 1/32、電流為 150A 時(shí)，輸出電壓為 0.8V；一個(gè) K = 1/8，電流為 25A 時(shí)，輸出電壓為 3.4V）。
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