功率控制電路主要由水泥電阻R30、R32 和R33、N-MOS 管（IRF3205）、采樣電阻（康銅絲0.1R）、偏置電阻R34、RB1 及電容CG1、CG2、C26、C27、C29 等構(gòu)成。

根據(jù)本設(shè)計要求，N-MOS 管選擇IRF3205，它具備極低導通阻抗，RDS(on)Max = 8.0 mΩ，持續(xù)漏極電流高達110 A（TC=25 ℃），漏極功率消耗PD 高達200 W（TC=25 ℃）。

肖特基二極管D2（SK54）起到保護N-MOS 管的作用；由于本設(shè)計要求恒壓高達20 V，水泥電阻R32 和R33 采用串聯(lián)，以起到限流的作用。

國民技術(shù)N32G系列通用MCU開發(fā)套件，提供從軟件到硬件開發(fā)全套全面支持能力，包括低功率（100 W）、中功率（300 W）、高功率（1000 W）等各類評估板及開發(fā)套件，同時具備開放實驗室進行客戶研發(fā)過程的支撐。

在電機行業(yè)應(yīng)用及關(guān)鍵技術(shù)能力方面，可提供先進的自研成熟電機控制算法庫，支持包括MRAS、SMO在內(nèi)的多種無感觀測算法、高頻注入算法、無感啟動算法、實現(xiàn)從零速到超高速范圍的全閉環(huán)控制，支持完全獨立的單電機、雙電機、四個電機的協(xié)同控制，且融合了自研電機參數(shù)自識別算法等多種具有行業(yè)應(yīng)用競爭力的算法支撐能力。

單片機就相當于一個微型的計算機系統(tǒng)集成在一個芯片上，就是我們所說的集成芯片，凡是電子器件很少不用到單片機的。大部分的單片機在電子器件內(nèi)部都是主控芯片，比如我們的手機拍照,圖像的處理,存儲,還有紅綠燈的指令,電機的轉(zhuǎn)速核心都是單片機。

單片機選擇了12MHZ晶振，它的時鐘周期是1／12us，它的一個機器周期是12×(1/12)us，也就是1us。不過一般普通的晶振精度就能達到百萬分之五十。

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