Allegro的霍爾和GMR速度傳感器識(shí)別齒輪速度的降低
發(fā)布時(shí)間:2021/11/24 23:31:29 訪問次數(shù):411
EV應(yīng)用所需的開關(guān)的關(guān)鍵特性是承受各種類型的短路故障。這要求開關(guān)承受整個(gè)總線電壓(對(duì)于650V器件為400V,對(duì)于1200V器件為800V),同時(shí)在柵極完全導(dǎo)通時(shí)同時(shí)傳導(dǎo)高電流,持續(xù)2-6μs的時(shí)間,直到去飽和電路檢測(cè)到在施加0.5至2μs的消隱時(shí)間后出現(xiàn)短路情況。
驅(qū)動(dòng)程序?qū)㈤_關(guān)慢慢關(guān)閉。在此期間,開關(guān)可能會(huì)在幾微秒內(nèi)經(jīng)歷300-500°C的溫度上升,并且仍必須安全地關(guān)閉。
此外,交換機(jī)最多應(yīng)處理100或1000個(gè)此類事件,而設(shè)備參數(shù)不會(huì)發(fā)生變化。
HPM6000系列具備高效能、低功耗、高安全的特點(diǎn),可廣泛應(yīng)用于智能工業(yè)、智能家電、金融終端支付系統(tǒng)、邊緣計(jì)算及物聯(lián)網(wǎng)等熱門應(yīng)用。
Allegro的霍爾和GMR(巨磁電阻)速度傳感器可以識(shí)別齒輪速度的降低,這種速度降低可能預(yù)示即將發(fā)生軸承故障。
PSoC 64 微控制器 (MCU) 標(biāo)準(zhǔn)安全系列裝置已通過 Arm 平臺(tái)安全架構(gòu) (PSA) 2 級(jí)認(rèn)證。2 級(jí)認(rèn)證包括對(duì) PSA 信任根 (PSA-RoT) 進(jìn)行實(shí)驗(yàn)室評(píng)估,以證明裝置能夠避免可擴(kuò)充軟件攻擊。
針對(duì)200A,6500V半橋模塊的最新開發(fā)成果已經(jīng)由5級(jí)串聯(lián)的1700V JFET構(gòu)成。
該器件可以通過低Qg的單個(gè)0至12V柵極驅(qū)動(dòng)器進(jìn)行切換–與串聯(lián)的IGBT或SiC MOSFET一樣,不需要單獨(dú)的柵極驅(qū)動(dòng)器。另一個(gè)針對(duì)低電流開關(guān)的演示將supercascode技術(shù)應(yīng)用于40kV單開關(guān)。
由于較低電壓的JFET技術(shù)更成熟,并且原材料成本更低,這為設(shè)計(jì)人員提供了低成本解決方案的選擇,最高可達(dá)以前無法達(dá)到的電壓。另外,如果需要特定的電壓或電流類別,可以使用United SiC共源共柵和JFET器件輕松完成。
EV應(yīng)用所需的開關(guān)的關(guān)鍵特性是承受各種類型的短路故障。這要求開關(guān)承受整個(gè)總線電壓(對(duì)于650V器件為400V,對(duì)于1200V器件為800V),同時(shí)在柵極完全導(dǎo)通時(shí)同時(shí)傳導(dǎo)高電流,持續(xù)2-6μs的時(shí)間,直到去飽和電路檢測(cè)到在施加0.5至2μs的消隱時(shí)間后出現(xiàn)短路情況。
驅(qū)動(dòng)程序?qū)㈤_關(guān)慢慢關(guān)閉。在此期間,開關(guān)可能會(huì)在幾微秒內(nèi)經(jīng)歷300-500°C的溫度上升,并且仍必須安全地關(guān)閉。
此外,交換機(jī)最多應(yīng)處理100或1000個(gè)此類事件,而設(shè)備參數(shù)不會(huì)發(fā)生變化。
HPM6000系列具備高效能、低功耗、高安全的特點(diǎn),可廣泛應(yīng)用于智能工業(yè)、智能家電、金融終端支付系統(tǒng)、邊緣計(jì)算及物聯(lián)網(wǎng)等熱門應(yīng)用。
Allegro的霍爾和GMR(巨磁電阻)速度傳感器可以識(shí)別齒輪速度的降低,這種速度降低可能預(yù)示即將發(fā)生軸承故障。
PSoC 64 微控制器 (MCU) 標(biāo)準(zhǔn)安全系列裝置已通過 Arm 平臺(tái)安全架構(gòu) (PSA) 2 級(jí)認(rèn)證。2 級(jí)認(rèn)證包括對(duì) PSA 信任根 (PSA-RoT) 進(jìn)行實(shí)驗(yàn)室評(píng)估,以證明裝置能夠避免可擴(kuò)充軟件攻擊。
針對(duì)200A,6500V半橋模塊的最新開發(fā)成果已經(jīng)由5級(jí)串聯(lián)的1700V JFET構(gòu)成。
該器件可以通過低Qg的單個(gè)0至12V柵極驅(qū)動(dòng)器進(jìn)行切換–與串聯(lián)的IGBT或SiC MOSFET一樣,不需要單獨(dú)的柵極驅(qū)動(dòng)器。另一個(gè)針對(duì)低電流開關(guān)的演示將supercascode技術(shù)應(yīng)用于40kV單開關(guān)。
由于較低電壓的JFET技術(shù)更成熟,并且原材料成本更低,這為設(shè)計(jì)人員提供了低成本解決方案的選擇,最高可達(dá)以前無法達(dá)到的電壓。另外,如果需要特定的電壓或電流類別,可以使用United SiC共源共柵和JFET器件輕松完成。
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