硬件加速需求對(duì)于存儲(chǔ)器的帶寬提出了越來越高的要求，傳統(tǒng)的DDR4帶寬顯然已經(jīng)無法滿足要求，Achronix看重了GDDR6在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)中的帶寬優(yōu)勢(shì)，創(chuàng)新地將GDDR6引入到了FPGA，徹底解決了傳統(tǒng)FPGA存儲(chǔ)帶寬不夠的瓶頸。

DDR5 SDRAM的標(biāo)準(zhǔn)（JESD79-5），內(nèi)存的頻率相對(duì)DDR4的標(biāo)準(zhǔn)頻率有了大幅的提升，總傳輸帶寬也提升了38%，但是還是和GDDR6的帶寬有一定的差距,GDDR6和DDR4/5的帶寬對(duì)比。

實(shí)現(xiàn)同一個(gè)大帶寬存儲(chǔ)的應(yīng)用，在提供相同的存儲(chǔ)器帶寬的情況下，無論在設(shè)計(jì)復(fù)雜度，PCB占用面積，還是在功耗方面，與DDR4相比，GDDR6的性能都有很大的提高。

650V、10A SiC肖特基二極管，正式進(jìn)軍高功率碳化硅(SiC)二極管市場(chǎng)。這對(duì)于高效功率氮化鎵(GaN) FET的可靠供應(yīng)商N(yùn)experia而言是一項(xiàng)戰(zhàn)略性舉措，旨在擴(kuò)展高壓寬禁帶半導(dǎo)體器件產(chǎn)品范圍。

Nexperia的首款SiC肖特基二極管為工業(yè)級(jí)器件，重復(fù)反向峰值電壓為650V(VRRM)，持續(xù)正向電流為10A(IF)，旨在為功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用實(shí)現(xiàn)超高性能、高效率、低損耗。

以及兼容高壓的具有更高爬電距離的純雙引腳(R2P)封裝，使該系列二極管可用于表面貼裝（DPAK R2P和D2PAK R2P）或通孔式（TO-220-2、TO-247-2）器件。

該芯片高音清脆、低音有力、人聲清晰、能明顯提升3.7V單節(jié)鋰電供電音箱產(chǎn)品的音質(zhì)體驗(yàn)。       

數(shù)據(jù)速率達(dá)到了16Gbps，帶寬幾乎是GDDR5X的兩倍，同時(shí)采用了雙通道設(shè)計(jì)，訪問粒度和GDDR5一樣是32Byte。

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