高性能的ISL8201M低傳導(dǎo)及切換損耗將確保穩(wěn)壓器模塊
發(fā)布時間:2021/12/5 23:35:09 訪問次數(shù):295
Vishay Siliconix SiR440DP 將在同步降壓轉(zhuǎn)換器以及二級同步整流及 OR-ing 應(yīng)用中用作低端 MOSFET。其低傳導(dǎo)及切換損耗將確保穩(wěn)壓器模塊 (VRM)、服務(wù)器及使用負(fù)載點 (POL) 功率轉(zhuǎn)換的諸多系統(tǒng)實現(xiàn)功效更高且更節(jié)省空間的設(shè)計。
20V SiR866DP 和 SiR890DP n 通道功率 MOSFET。這些器件在 4.5V 時分別提供 2.5m的導(dǎo)通電阻，在 10V 時為 1.9m; 及 2.9m，典型柵極電荷為 35.3nC 及 20nC。
這些器件無鉛 (Pb)，無鹵素，并且符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，因此符合有關(guān)消除有害物質(zhì)的國際法規(guī)要求。
Quad-Core AMD Opteron處理器(8346/8384)系列采用45-nm技術(shù)和浸沒式光刻技術(shù)，能實現(xiàn)高35%的性能，空閑時功耗降低35%，并具有優(yōu)越的虛擬化性能�！癝hanghai” CPU支持改進(jìn)的DDR2-800存儲器和6-Mbyte 3級緩存，從而有助于加速存儲密集的應(yīng)用。
快速虛擬化索引,標(biāo)簽轉(zhuǎn)換后備緩沖器,HyperTransport Technology3.02等特性。
處理器第一個系列為75-W ACP，在2.3——2.7 GHz工作。增強(qiáng)的HE（55-W）和SE（105-W）處理器計劃于09年第一季度生產(chǎn)。
與之前的版本采用相同封裝所有這三款新型功率 MOSFET 均采用 PowerPAK SO-8 封裝,更低的導(dǎo)通電阻及柵極電荷意味著更低的傳導(dǎo)損耗及切換損耗。
ISL8201M是高效率、低噪聲、高集成度的DC/DC電源解決方案，在熱增強(qiáng)的QFN封裝內(nèi)集成了PWM控制器、MOSFET驅(qū)動器、功率MOSFET、電感器，以及優(yōu)化的補(bǔ)償電路。
高集成度、高性能的ISL8201M采用小尺寸15mm x 15mm x 3.5mm QFN封裝。
(素材來源：eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）
Vishay Siliconix SiR440DP 將在同步降壓轉(zhuǎn)換器以及二級同步整流及 OR-ing 應(yīng)用中用作低端 MOSFET。其低傳導(dǎo)及切換損耗將確保穩(wěn)壓器模塊 (VRM)、服務(wù)器及使用負(fù)載點 (POL) 功率轉(zhuǎn)換的諸多系統(tǒng)實現(xiàn)功效更高且更節(jié)省空間的設(shè)計。
20V SiR866DP 和 SiR890DP n 通道功率 MOSFET。這些器件在 4.5V 時分別提供 2.5m的導(dǎo)通電阻，在 10V 時為 1.9m; 及 2.9m，典型柵極電荷為 35.3nC 及 20nC。
這些器件無鉛 (Pb)，無鹵素，并且符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，因此符合有關(guān)消除有害物質(zhì)的國際法規(guī)要求。
Quad-Core AMD Opteron處理器(8346/8384)系列采用45-nm技術(shù)和浸沒式光刻技術(shù)，能實現(xiàn)高35%的性能，空閑時功耗降低35%，并具有優(yōu)越的虛擬化性能。“Shanghai” CPU支持改進(jìn)的DDR2-800存儲器和6-Mbyte 3級緩存，從而有助于加速存儲密集的應(yīng)用。
快速虛擬化索引,標(biāo)簽轉(zhuǎn)換后備緩沖器,HyperTransport Technology3.02等特性。
處理器第一個系列為75-W ACP，在2.3——2.7 GHz工作。增強(qiáng)的HE（55-W）和SE（105-W）處理器計劃于09年第一季度生產(chǎn)。
與之前的版本采用相同封裝所有這三款新型功率 MOSFET 均采用 PowerPAK SO-8 封裝,更低的導(dǎo)通電阻及柵極電荷意味著更低的傳導(dǎo)損耗及切換損耗。
ISL8201M是高效率、低噪聲、高集成度的DC/DC電源解決方案，在熱增強(qiáng)的QFN封裝內(nèi)集成了PWM控制器、MOSFET驅(qū)動器、功率MOSFET、電感器，以及優(yōu)化的補(bǔ)償電路。
高集成度、高性能的ISL8201M采用小尺寸15mm x 15mm x 3.5mm QFN封裝。
(素材來源：eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）
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