1500VDC的I/O隔離電壓DPAK封裝優(yōu)異的熱性能和電子性能
發(fā)布時(shí)間:2021/12/27 12:52:00 訪問次數(shù):459
一個(gè)新的表面貼裝隔離型1W DC/DC 轉(zhuǎn)換器系列，共18個(gè)型號(hào)。TES-1系列產(chǎn)品由Tracopower公司生產(chǎn)，專為最新的無鉛焊接工藝而設(shè)計(jì)。
該系列的18個(gè)型號(hào)輸入電壓為5、12或24VDC，單輸出和雙輸出型的電壓為5至15VDC。具有一個(gè)1500VDC的I/O隔離電壓，工作溫度為-40 至 +85度。
TES-1系列占位面積小，可為許多應(yīng)用提供理想的解決方案，其中包括地環(huán)消除、數(shù)字接口和分布式電源系統(tǒng)中的電壓隔離。這些轉(zhuǎn)換器采用新型封裝設(shè)計(jì)，采用現(xiàn)代再流焊工藝可滿足更高溫度要求，完全符合IPC J-STD-020D焊接標(biāo)準(zhǔn)。
9款全新32位All Flash微控制器（MCU）。這些微控制器具有內(nèi)置以太網(wǎng)接口和嵌入式閃存，適用于遠(yuǎn)程控制及監(jiān)控工業(yè)設(shè)備和建筑管理系統(tǒng)。新產(chǎn)品包括6個(gè)128引腳V850ES/JH3-E型，3個(gè)144引腳V850ES/JJ3-E型。
新產(chǎn)品具有以下功能：集成了以太網(wǎng)媒體存取控制器（MAC）通道，省去外部以太網(wǎng)控制器.
多達(dá)512KB閃存和多達(dá)124KB隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM），可單獨(dú)使用片上存儲(chǔ)器運(yùn)行網(wǎng)絡(luò)軟件；外設(shè)功能包括全速UAB2.0接口和CAN接口。
汽車應(yīng)用中的低電壓PowerMOSFET推出新封裝形式HSON-8。
HSON-8封裝尺寸為6.0毫米x5.2毫米 x1.45毫米，與SOP-8封裝的占位面積相同。HSON-8封裝與DPAK (TO-252)封裝相比，節(jié)省一半安裝空間，同時(shí)兼具DPAK封裝優(yōu)異的熱性能和電子性能。
HSON-8封裝的最大載流能力為75A。配合NEC電子的UMOS-4溝道技術(shù)，N溝道器件的RDS(on)為5.1 mΩ，VDSS = 40 V (NP75N04UG)，P溝道器件（NP75P03*DG）的RDS(on)為6.2 mΩ，VDSS = -30 V。擊穿電壓為-30 V、40 V和60 V的N溝道和P溝道PowerMOSFET目前正在研發(fā)階段。
一個(gè)新的表面貼裝隔離型1W DC/DC 轉(zhuǎn)換器系列，共18個(gè)型號(hào)。TES-1系列產(chǎn)品由Tracopower公司生產(chǎn)，專為最新的無鉛焊接工藝而設(shè)計(jì)。
該系列的18個(gè)型號(hào)輸入電壓為5、12或24VDC，單輸出和雙輸出型的電壓為5至15VDC。具有一個(gè)1500VDC的I/O隔離電壓，工作溫度為-40 至 +85度。
TES-1系列占位面積小，可為許多應(yīng)用提供理想的解決方案，其中包括地環(huán)消除、數(shù)字接口和分布式電源系統(tǒng)中的電壓隔離。這些轉(zhuǎn)換器采用新型封裝設(shè)計(jì)，采用現(xiàn)代再流焊工藝可滿足更高溫度要求，完全符合IPC J-STD-020D焊接標(biāo)準(zhǔn)。
9款全新32位All Flash微控制器（MCU）。這些微控制器具有內(nèi)置以太網(wǎng)接口和嵌入式閃存，適用于遠(yuǎn)程控制及監(jiān)控工業(yè)設(shè)備和建筑管理系統(tǒng)。新產(chǎn)品包括6個(gè)128引腳V850ES/JH3-E型，3個(gè)144引腳V850ES/JJ3-E型。
新產(chǎn)品具有以下功能：集成了以太網(wǎng)媒體存取控制器（MAC）通道，省去外部以太網(wǎng)控制器.
多達(dá)512KB閃存和多達(dá)124KB隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM），可單獨(dú)使用片上存儲(chǔ)器運(yùn)行網(wǎng)絡(luò)軟件；外設(shè)功能包括全速UAB2.0接口和CAN接口。
汽車應(yīng)用中的低電壓PowerMOSFET推出新封裝形式HSON-8。
HSON-8封裝尺寸為6.0毫米x5.2毫米 x1.45毫米，與SOP-8封裝的占位面積相同。HSON-8封裝與DPAK (TO-252)封裝相比，節(jié)省一半安裝空間，同時(shí)兼具DPAK封裝優(yōu)異的熱性能和電子性能。
HSON-8封裝的最大載流能力為75A。配合NEC電子的UMOS-4溝道技術(shù)，N溝道器件的RDS(on)為5.1 mΩ，VDSS = 40 V (NP75N04UG)，P溝道器件（NP75P03*DG）的RDS(on)為6.2 mΩ，VDSS = -30 V。擊穿電壓為-30 V、40 V和60 V的N溝道和P溝道PowerMOSFET目前正在研發(fā)階段。
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