當 FB 低于疊加的 COMP 時，HS-FET 導通一段固定的時間。當 HS-FET 關(guān)斷時，LS-FET 導通，直到電感電流達到零。在脈沖跳躍模式操作中，當電感電流接近零時，F(xiàn)B 不會達到疊加的 COMP。當電感電流達到零時，LS-FET 驅(qū)動器變?yōu)槿龖B(tài)(高阻抗)。

電流調(diào)制器接管 LS-FET 的控制并將電感器電流限制在 -1mA 以下。因此，輸出電容器通過 LS-FET 緩慢放電至 PGND。在輕載條件下，HS-FET 在脈沖跳躍模式下不會像在強制CCM下那樣頻繁地開啟。因此,與強制CCM 操作相比，脈沖跳躍模式的效率大大提高。

使用D類放大技術(shù)將能效提高到90%，受益于降低的散熱量，TS4999可實現(xiàn)尺寸更小而功率密度更大的便攜產(chǎn)品。

高能效結(jié)合最低2.4V的電源電壓，TS4999可延長電池供電產(chǎn)品的充電間隔。當不使用音響功能時，在10nA的省電模式下，電池耗電量可實現(xiàn)最小化。

TS4999達到高標準的輸出功率和失真度要求，可向4Ω揚聲器負載輸送每聲道 2.8 W的強大功率,失真度維持在1%的水準.電源電壓抑制比很高，可防止電源噪聲侵入音頻信號。

HALT模式時，內(nèi)置的周邊電路保持運作的同時，中斷CPU的指令執(zhí)行；STOP模式時CPU及周邊電路都停止工作。另外，有三套時鐘，根據(jù)處理內(nèi)容的不同可從32.768kHz、500kHz、4MHz中進行選擇，從而使工作時的電流最小化。因此，就能實現(xiàn)電池的小型化，也有利于機器的小型輕巧化。

高效率的RISC型CPU采用了基于RISC構(gòu)架的OKI SEMICONDUCTOR獨有的nX-U8/100。

通過使用3級的流水線（pipe-line）處理*2，１個機器周期就可以執(zhí)行幾乎所有的命令。另外,具有可以快速存取存儲器的位操作指令和乘除指令，能同時實現(xiàn)低功耗和高性能。

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