耦合晶體管的尺寸遠(yuǎn)大于編程晶體管與擦除晶體管的尺寸
發(fā)布時(shí)間:2022/1/10 13:23:37 訪問(wèn)次數(shù):161
M21528雙電纜驅(qū)動(dòng)器芯片,M21355四時(shí)鐘恢復(fù)器芯片,以及M21524雙電纜均衡器芯片, 構(gòu)成了用于串行數(shù)字接口(SDI)的,多信道,多速率,低功耗的芯片組。
新產(chǎn)品為四方扁平無(wú)鉛封裝(QFN),可以在很小的空間里建立起符合電影電視工程師學(xué)會(huì)(SMPTE)標(biāo)準(zhǔn)的串行數(shù)字界面(SDI)端口。
雙電纜驅(qū)動(dòng)器芯片在速率為143-2,970 Mb/s時(shí),可以驅(qū)動(dòng)二個(gè)單極的同軸電纜,或者50的等量負(fù)載。雙電纜均衡器芯片可以為二個(gè)75的同軸電纜提供自適應(yīng)的低噪音,高增益的均衡。
對(duì)模塊A進(jìn)行編程操作時(shí),耦合端子與擦除端子接高壓VCC,等效電容AC1與電容AC2并聯(lián),編程端子接地。
根據(jù)電容分壓原理,此時(shí)電壓大部分降在浮柵與編程晶體管源極,當(dāng)這部分電壓大到使之發(fā)生Fowler-Nordheim(FN)隧穿時(shí),電子開(kāi)始注入到浮柵上,且隨著這個(gè)過(guò)程的發(fā)生,浮柵上的電勢(shì)逐漸下降,并引起編程晶體管柵源電壓下降,當(dāng)這個(gè)電壓降到低于FN隧穿需要的最小值時(shí),隧穿停止,編程結(jié)束。
ArF 光刻膠可以用于 90nm-14nm 技術(shù)節(jié)點(diǎn)的集成電路制造工藝。公司目前研發(fā)的產(chǎn)品包含干式光刻膠和浸沒(méi)式光刻膠。
通過(guò)這項(xiàng)開(kāi)創(chuàng)性的升級(jí),客戶(hù)和Digi-Key代表確保價(jià)格在30天內(nèi)有效。即便市場(chǎng)動(dòng)蕩,我們的客戶(hù)仍可對(duì)產(chǎn)品和定價(jià)信心滿(mǎn)滿(mǎn),而CalcuQuote第一個(gè)讓這一切成為可能。
單端模塊的工作原理由于柵極懸空,與地端沒(méi)有任何直流通路,故而形成了EEPROM存儲(chǔ)單元的等效浮柵結(jié)構(gòu)E,且不需要額外的浮柵工藝。
擦除晶體管與耦合晶體管均連接成電容形式,因此,模塊A可等效電容AC2遠(yuǎn)大于電容AC1及編程晶體管的柵極寄生電容。
(素材來(lái)源:21ic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
M21528雙電纜驅(qū)動(dòng)器芯片,M21355四時(shí)鐘恢復(fù)器芯片,以及M21524雙電纜均衡器芯片, 構(gòu)成了用于串行數(shù)字接口(SDI)的,多信道,多速率,低功耗的芯片組。
新產(chǎn)品為四方扁平無(wú)鉛封裝(QFN),可以在很小的空間里建立起符合電影電視工程師學(xué)會(huì)(SMPTE)標(biāo)準(zhǔn)的串行數(shù)字界面(SDI)端口。
雙電纜驅(qū)動(dòng)器芯片在速率為143-2,970 Mb/s時(shí),可以驅(qū)動(dòng)二個(gè)單極的同軸電纜,或者50的等量負(fù)載。雙電纜均衡器芯片可以為二個(gè)75的同軸電纜提供自適應(yīng)的低噪音,高增益的均衡。
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根據(jù)電容分壓原理,此時(shí)電壓大部分降在浮柵與編程晶體管源極,當(dāng)這部分電壓大到使之發(fā)生Fowler-Nordheim(FN)隧穿時(shí),電子開(kāi)始注入到浮柵上,且隨著這個(gè)過(guò)程的發(fā)生,浮柵上的電勢(shì)逐漸下降,并引起編程晶體管柵源電壓下降,當(dāng)這個(gè)電壓降到低于FN隧穿需要的最小值時(shí),隧穿停止,編程結(jié)束。
ArF 光刻膠可以用于 90nm-14nm 技術(shù)節(jié)點(diǎn)的集成電路制造工藝。公司目前研發(fā)的產(chǎn)品包含干式光刻膠和浸沒(méi)式光刻膠。
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擦除晶體管與耦合晶體管均連接成電容形式,因此,模塊A可等效電容AC2遠(yuǎn)大于電容AC1及編程晶體管的柵極寄生電容。
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